根據微波雜志報道，日前，Yolo Developpement發布研究報告指出，預計到2024年整個GaN射頻市場將達到20億美元，這主要得益于兩個主要應用：電信基礎設施和國防。Yole 技術與市場分析師Antoine Bonnabel表示，過去十年全球電信基礎設施投資保持穩定，近期隨著中國政府的積極而增加。在這個穩定的市場中，包括6GHz頻率等應用，為GaN RF提供了額外的增長動力。

　　目前的GaN市場

　　自20年前首款商用產品以來，GaN已成為RF功率應用中LDMOS和GaAs的重要競爭對手，以更低的成本不斷提高性能和可靠性。第一個GaN-on-SiC和GaN-on-Si器件幾乎同時出現，但GaN-on-SiC在技術上已經變得更加成熟。

　　GaN-on-SiC目前主導GaN射頻市場，已滲透到4G LTE無線基礎設施市場，預計將部署在5G sub-6 GHz實施的RRH架構中。與此同時，在經濟高效的LDMOS技術方面也取得了顯著進展，這可能會對5G sub-6GHz有源天線和大規模MIMO部署中的GaN解決方案提出挑戰。

　　GaN-on-Si是一種潛在的挑戰者，可能在8英寸晶圓上擴展生產，并為商業市場提供具有成本效益的解決方案。然而，截至2019年，GaN-on-Si仍處于小批量生產階段 - 預計將挑戰BTS和RF能源市場中現有的LDMOS解決方案。

　　GaN-on-Si公司的另一個目標是大批量消費者5G手機PA市場，如果成功，它可以在未來幾年開辟新的市場機會。隨著GaN-on-Si產品的最終升級，市場上可以實現GaN-on-SiC和GaN-on-Si的共存。最后但并非最不重要的是，創新的GaN-on-Diamond技術正在進入競爭對手，與GaN競爭對手相比，承諾具有更高的功率輸出密度和更小的占位面積。該技術針對性能驅動的應用，例如高功率BTS，軍事和衛星通信。

　　供應鏈的現狀

　　作為一項成熟的技術，GaN-on-SiC擁有完善的供應鏈，擁有眾多公司和不同的集成度。在RF組件級別，頂級市場參與者是：

　　?住友電工設備創新（SEDI），Cree / Wolfspeed和Qorvo

　　?RFHIC自2017年以來大幅增加收入

　　?領先的化合物半導體代工廠穩懋現在正在積極提供GaN RF產品

　　在GaN-on-Si RF行業，意法半導體是與MACOM合作的主要參與者，目標是全球5G基站應用，擴展150 mm GaN-on-Si的生產能力，并進一步擴展至200 mm。此外，ST還宣布了對GaN-on-Si手機的興趣，這可能為GaN RF業務帶來激動人心的新市場機遇。

　　在軍事市場中，各個國家和地區都在單獨加強其GaN RF生態系統。 GaN的采用受到Raytheon，Northrop Grumman，洛克希德馬丁公司等強勢參與者的推動，并通過UMS，空中客車，薩博以及中國領先的垂直整合公司中國電子科技集團公司（CETC）在全球市場得到推動。

　　但是，在電信市場，情況有所不同。 戰略合作伙伴關系和/或兼并和收購屢屢發生，市場領導者SEDI和II-VI建立了垂直整合的6英寸GaN-on-SiC晶圓平臺，以滿足5G內不斷增長的需求。與此同時，Cree收購了英飛凌的射頻功率業務，包括LDMOS和GaN-on-SiC技術的封裝和測試。