日前，設計和制造高壓GaN FET供應商Transphorm公司，宣布推出其第二款900V FET，Gen III TP90H050WS（現(xiàn)已開始提供樣品），增強了業(yè)界唯一的900V GaN產(chǎn)品線。這些器件現(xiàn)在可以使三相工業(yè)系統(tǒng)和高壓汽車電子產(chǎn)品充分利用GaN的速度，效率和功率密度。此外，新的FET平臺基于Transphorm的650V前身，唯一符合JEDEC和AEC-Q101標準的HV GaN技術。

　　TP90H050WS的典型導通電阻為50mΩ，瞬態(tài)額定值為1000V，采用標準TO-247封裝。它可以在典型的半橋中達到8kW的功率水平，同時保持超過99％的效率。其Ron * Qoss（諧振開關拓撲）和Ron * Qrr（硬開關橋拓撲）的品質(zhì)因數(shù)比生產(chǎn)中常見的超結技術低2-5倍，可使開關損耗大大降低。雖然JEDEC認證的版本定于2020年第一季度發(fā)布，但客戶現(xiàn)在可以設計900V GaN電源系統(tǒng)。

　　Transphorm首款900V器件TP90H180PS（TO-220封裝的典型導通電阻為170mΩ）獲得JEDEC認證，自2017年起通過Digi-Key提供。它可以達到99％的峰值效率，適用于3.5kW單相逆變器。

　　“Transphorm最新的900V GaN產(chǎn)品代表了商用GaN功率晶體管的一個重要里程碑，因為它達到了1kV的標準，這是業(yè)界第一，”聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席運營官Primit Parikh表示。 “這為GaN在這些更高電壓節(jié)點上的可行選擇鋪平了道路，ARPA-E部分資金用于早期降低風險，獲得了Power America的初始產(chǎn)品認證，這項努力代表了成功的合作伙伴關系，加速了GaN的市場采用。”

　　Transphorm表示，其900V平臺為其650V FET（如可再生能源，汽車和各種廣泛的工業(yè)應用）所針對的系統(tǒng)提供更高的電壓水平。它被設計用于無橋圖騰柱功率因數(shù)校正（PFC），用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和逆變器的半橋配置。在更高的電壓下支持這些拓撲的能力擴展了Transphorm的目標應用，包括一系列三相工業(yè)應用，例如不間斷電源（UPS）和更高電池電壓節(jié)點的汽車充電器/轉(zhuǎn)換器。

　　“900V GaN功率器件消除了目前不支持GaN半導體的應用的障礙，”PowerAmerica的副執(zhí)行董事兼首席技術官Victor Veliadis指出，該公司曾經(jīng)資助了該項目。“通過900V平臺的創(chuàng)新，Transphorm正在推動行業(yè)發(fā)展，創(chuàng)造新的客戶機會。”他評論道。