全球領先的模擬/混合信號代工廠X-FAB Silicon Foundries繼續開發突破性的工藝方案以解決富有挑戰性的設計，現宣布推出雪崩光電二極管（APD）和單光子雪崩二極管（SPAD) 器件，用于滿足在微弱光源條件下所需的靈敏度，以及嚴格的時間分辨率。
基于該公司廣受歡迎的180nm高壓XH018工藝，這些功能塊提供了高性能參數和直接集成的組合。APD具有良好的線性增益特性，并且完全可擴展從僅僅10到幾百微米的尺寸。 使用X-FAB專有抑制電路（quenching circuit) ，SPAD的死區時間少于15ns，因而能夠支持高帶寬設計。此外，其較低的暗計數率(dark count rate: <100counts/s/?m?）意味著它對熱噪聲的敏感性要低得多。 SPAD的高光子探測率（PDP）確保了更高比例的入射光子觸發雪崩，并且此高比例能夠在很寬的波長范圍內保持（例如在400nm處為40％）。
X-FAB 的APD和SPAD可用于廣泛的應用領域，其中包括接近感應、激光雷達（LiDAR）、飛行時間（ToF）、醫學成像（CT和PET）和科學研究。由于它們符合AEC-Q100標準，因而同樣適用于汽車系統中應用。此外，已經實現的低擊穿電壓（<20V）有助于將它們整合到客戶芯片。作為X-FAB設計套件的組成部分，它們完整的表征，并可輕松的與XH018工藝中的其他模塊組合。光學和電學仿真模型以及特定的應用指南可幫助設計師在短時間內將這些器件集成到其電路中。除了以功能塊格式提供外，配合SPAD工作的抑制參考電路(quenching circuit)也可提供。
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