利基型存儲器廠華邦電近日召開股東會，總經理詹東義表示，今年希望對主要客戶的滲透率持續成長，自行開發的20納米制程DRAM技術將于明年底到位，未來將在高雄新廠投產。
現階段全球具備自行開發DRAM制程技術者，僅有三星、SK海力士與美光。詹東義說，華邦電是全球第四家擁有DRAM技術的公司，專攻高品質的中低容量產品，目前DRAM市占率僅0.7%，成長空間大。
華邦電董事長焦佑鈞指出，去年多項營運數字創新高，但今年以來市場需求因中美貿易戰等因素放緩，但有AI及5G等新技術創造的新應用需求，對未來市場長期需求看好。
焦佑鈞認為，存儲器供不應求時期已結束，今年是萎縮的一年，去年第4季到今年第1季的市況確實差，下半年應會比上半年好。以稼動率來看，今年第1季低于80%，目前已回升到約85%水準。
詹東義說，以出貨顆粒總數來計算，對華邦電來說，最壞的情況已過，雖然隨著市況，平均銷售單價仍下滑，但會持續穩固市占率。
華為近期遭美國政府抵制，詹東義強調，華邦電有很多客戶，華為遭抵制，消費者可能轉向采購其他廠牌產品，若這些廠牌也是華邦電客戶，等于需求不變，對華邦電影響不大。
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