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今年存儲器市場銷售額恐衰減三成,明年才能恢復增長

2019-06-05
關鍵詞: 存儲器 DRAM NAND

  中美ó易戰(zhàn)下,存儲器市場波動情形持續(xù)受關注,研調機構集邦科技近日舉行“Compuforum 2019:資料經濟大δ來”研討會,資深協(xié)理吳雅婷預估,今年整體DRAM銷售額將年減29.3%,整體NAND Flash業(yè)績則將較去年下滑27.3%,不過,兩者均將在明年恢復正成長。

  展望存儲器后市,吳雅婷表示,今年無論DRAM、NAND Flash均供過于求,導致價格持續(xù)走跌,全年業(yè)績也將負成長,預估DRAM銷售額年減29.3%、NAND Flash年減27.3%。

  價格方面,受服務器與智能手機需求下滑,導致消耗量急凍與庫存攀高,今年DRAM供過于求情形較去年擴大,而NAND因競爭激烈,加上從2D NAND轉向不同程度的3D NAND,造成供給λ大幅度增長,雖目前跌幅稍微收斂,但去年累積的庫存量仍高,兩者價格仍處跌勢。全年而言,吳雅婷預估DRAM價格下滑近5成,NAND近4成。

  不過,隨需求?續(xù)回溫與價格變化帶出庫存回補動能,集邦預期存儲器價格在2020年止跌反彈。

  技術發(fā)展方面,吳雅婷指出,現有存儲器面臨制程持續(xù)微縮的物理極限,目前英特爾、三星與美光等存儲器大廠均投入開發(fā)下一代解決方案,如MRAM、PRAM和RRAM等。如英特爾的服務器產品Optane,以3DxPoint為設計基礎,并具有與市面上服務器模塊完全兼容的DIMM,對主板設計廠而言,同樣的插槽可依成本考慮,自由更換服務器存儲器模塊或Optane解決方案。

  不過,下一代存儲器尚δ規(guī)模化與標準化,成本仍較高,吳雅婷認為,下一代存儲器與現有解決方案各有優(yōu)缺,下一代能否放量的關鍵仍是價格。目前DRAM、NAND非常便宜,下一代較?有發(fā)展空間,預期2020年DRAM跟NAND價格恢復,次世代才有機會放量。她還強調,不認為下一代存儲器會取代現有解決方案,而是在部分終端產品市場與DRAM和NAND共存。


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