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需求萎縮,功率半導體遇冷

2019-06-03
關鍵詞: 半導體 華為

  為了阻擋東方中國的崛起,最近美國頻頻出手:提升關稅,封殺華為,點名大疆,從國家到企業,都成為美國制裁的對象。中美之間的摩擦越來越大,ó易戰愈演愈烈,全球經濟也蒙陰霾,整合元件制造廠(IDM)需求降溫,委外代工訂單縮減,功率半導體相對去年,市況明顯較冷卻。

  IDM廠需求降溫

  功率產品為主的晶圓代工世界先進去年下半年雖經歷美中ó易戰、美元升息等變數,但全年合并營收289.28億元、年增16.13%,創歷年新高,稅后凈利61.66億元、年增36.9%,?股稅后盈余3.72元,獲利也創新高。

  今年上半年,因整體大環境需求疲弱,客戶調整庫存比預期慢,世界先進第一季營收69.07億元、季減10.4%,稅后凈利13.88億元、季減達28%,為近4季新低,?股稅后盈余0.85元;預估第二季營收將續下滑,季減約1.5%到7.3%,?利率將從上季的36.1%下滑。

  業界指出,電源管理IC、MOSFET(金屬氧化物半導體場效晶體管)去年價量俱揚,但到第四季受美中ó易戰影響,需求減緩,中國客戶拉貨轉趨保守,沖擊6吋晶圓代工廠接單陡降,產能利用率下滑,今年擴散到國際知名的IDM廠客戶,隨著客戶需求降溫,委外代工訂單縮減,致使世界先進今年上半年較疲弱。世界先進預估今年出貨量約231.7萬片8吋晶圓,將較去年的233萬片小減0.56%。

  世界先進獲利不樂觀

  法人表示,隨著美中ó易戰升溫,功率半導體仍消化庫存中,下半年復蘇恐有變數,世界先進今年獲利將不如預估樂觀,部分外資調降世界先進評等至「中立」,目標價下修為59元。

  ?矽、漢磊去年營運皆出現轉機,但今年市況變差,殺價與搶單重現,2家公司第一季營運再度出現虧損,預期今年將又是挑戰的一年。

  延伸閱讀:2019年中國功率半導體市場規模逾2900億元

  全球市場研究機構集邦咨詢在最新《中國半導體產業深度分析報告》中指出,受益于新能源汽車、工業控制等終端市場需求大量增加,MOSFET、IGBT等多種產品持續缺貨和漲價,帶動了2018年中國功率半導體市場規模大幅成長12.76%至2,591億元人民幣。

  其中功率分立器件市場規模為1,874億元人民幣,較2017年同比成長14.7%;電源管理IC市場規模為717億元人民幣,較2017年同比增長8%。

  集邦咨詢分析師謝瑞峰指出,功率半導體作為需求驅動型的產業,2019年景氣仍然持續向上。雖然仍受到全球ó易不穩定等因素影響,但在需求驅動下,受影響程度要小于其他IC產品。集邦咨詢預估,2019年中國功率半導體市場規模將達到2,907億元人民幣,較2018年成長12.17%,維持雙λ數的成長表現。

  受益于國產替代的政策推動和缺貨漲價的狀況,2018年多家中國本土功率半導體廠商取得亮眼的成績,并擴大布局。其中,比亞迪微電子憑借擁有終端的優勢,在車用IGBT市場快速崛起,取得中國車用IGBT市場超過兩成的市占率,一躍成為中國銷售額前三的IGBT供應商;MOSFET廠商華微電子和揚杰科技營收大增,并且逐漸導入IGBT市場。

  另外,新建與規劃中的IGBT產線有士蘭微廈門12寸特色工藝產線、華潤微電子在重慶建設的12寸特色工藝產線,以及積塔半導體專業汽車級IGBT產線等。同時,多家廠商也投入研發SiC等新材料技術領域,基本半導體的SiC MOSFET已進入量產上市,而定λ為代工的三安光電SiC產線也已開始接單、比亞迪微電子也已研發成功SiC MOSFET,其目標是到2023年實現SiC MOSFET對硅基IGBT的全面替代。

  展望2019年,從終端需求來看,新能源汽車仍然為中國功率半導體市場最大需求來源,根據集邦咨詢資料顯示,2019年中國新能源車產量預估為150萬輛,較前一年成長45%,其ADAS系統、電控以及充電樁的需求將帶動功率分立器件市場規模約270億元。同時,5G建設所需的基站設備及其普及后帶來物聯網、云計算的快速發展,將對功率半導體產生長期大量需求,另外,工業自動化規劃持續推進,與之相關的電源、控制、驅動電·將持續推升中國功率半導體的采購。

  從供應端來看,2019年雖然有3-5條功率產線將進入量產,但根據集邦咨詢預計,2019年前三季度功率分立器件產品缺貨情況恐難有明顯好轉,多家廠商的產品價格預期仍將上漲。從廠商的技術發展來看,SiC MOSFET有望進一步提高在車用領域對硅基IGBT的替代率,硅基IGBT則有望向更低功耗、更高效率的方向繼續發展。


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