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Vishay推出新款通過AEC-Q101認證的30 V和40 V P溝道MOSFET,有效提高板級可靠性

汽車級器件導通電阻低至4.4 mW,采用業內超薄鷗翼引線結構5 mm x 6 mm緊湊型PowerPAK® SO-8L封裝
2019-03-07
關鍵詞: Vishay AEC-Q101 MOSFET

  日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新款30 V和40 V汽車級p溝道TrenchFET?功率MOSFET---SQJ407EP和SQJ409EP,采用鷗翼引線結構PowerPAK? SO-8L封裝,有效提升板級可靠性。SQJ407EP和SQJ409EP通過AEC-Q101認證,占位面積比DPAK封裝器件減小50%以上,節省PCB空間并降低成本,同時導通電阻低于任何鷗翼引線結構5 mm x 6 mm封裝MOSFET。

  由于需要很高功率,12 V汽車系統馬達驅動和主電源要求MOSFET在各種應用中具有極低的導通電阻,如電池反向極性保護和高邊開關。Vishay Siliconix -30 V SQJ407EP和-40 V SQJ409EP在10 V條件下,導通電阻分別為4.4 mW和7.0 mW,完全可以滿足這種要求。此外,作為p溝道MOSFET,兩款器件是理想的負載開關,不需要電荷泵提供n溝道器件所需的正向柵壓。

  日前發布的MOSFET工作溫度可達+175 °C,同時鷗翼引線結構可緩解溫度循環過程中、主板彎曲、振動和意外跌落產生的機械應力,與剛性QFN封裝相比,具有更加優異的板級可靠性。鷗翼引線結構還有助于自動光學檢測 (AOI) 過程獲得更加一致可靠的結果。

  器件采用無鉛 (Pb) 封裝、無鹵素、符合RoHS標準,經過100 % Rg和UIS測試。

  SQJ407EP和SQJ409EP現可提供樣品并已實現量產。

  VISHAY簡介

  Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財富1000 強企業”,是全球分立半導體(二極管、MOSFET和紅外光電器件)和無源電子元件(電阻器、電感器、電容器)的最大制造商之一。這些元器件可用于工業、計算、汽車、消費、通信、國防、航空航天、電源及醫療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑借產品創新、成功的收購戰略,以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業界領先者。有關Vishay的詳細信息,敬請瀏覽網站 www.vishay.com。


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