昨天，荷蘭光刻機大廠ASML發(fā)布了其2018年的財報。數據顯示，公司2018全年銷售額為109億歐元，凈收入為26億歐元，預計2019年第一季度銷售額約為21億歐元，毛利率約為40％。
ASML總裁兼首席執(zhí)行官Peter Wennink還表示：“。在第四季度，我們收到五份EUV訂單。2019年，客戶有著對30個EUV系統(tǒng)的需求，這些出貨量將包括DRAM客戶的第一批量產系統(tǒng)。預計2019年我們的EUV掃描儀生產的芯片將開始供消費者和企業(yè)使用。”
他們還指出，公司將在今年推出新一代的EUV光刻設備NXE：3400C，規(guī)格為每小時170片晶圓，可用率超過90％。該系統(tǒng)將于2019年下半年提供給客戶。目前，ASML主流的EUV設備機型是NXE:3400B，在合作伙伴的工廠中已經實現(xiàn)了125WPH的產能。
據ASML介紹，這個新設備是以“NXE:3400B”為基礎，首次開發(fā)降低重合誤差的版本，而在后續(xù)的發(fā)展則是是以“降低重合誤差版本”為基礎，開發(fā)提高“吐出量”（生產性能）的版本。在持續(xù)降低重合誤差的同時，ASML還在繼續(xù)開發(fā)提高產能的新版本，ASML還沒有公布新版本的型號，出貨時間預計在2021年的下半年，新版本應該會承擔3nm的量產工作吧。
而據媒體報道，下一代EUV（極紫外）曝光技術的發(fā)展正在全面發(fā)展，這種技術將使得半導體邏輯和DRAM的小型化和高密度化成為可能。如果發(fā)展順利進行，在2020年下半年，最先進的半導體工藝可以受益于新的設備。他們指出，在“當前一代”EUV曝光技術中，3nm代半導體邏輯有望成為小型化的極限。但在“下一代”EUV曝光技術出來之后，則讓2納米，甚至1.4納米成為可能。
ASML預估，在2021年底之前將裝配NAV為0.55的EUV曝光設備的原型系統(tǒng)，大規(guī)模生產系統(tǒng)的出貨計劃于2024年開始。
EUV光刻技術發(fā)展態(tài)勢
光刻（lithography）為集成電路微細化的最關鍵技術。當前在16/14nm節(jié)點乃至10及7nm節(jié)點，芯片制造商普遍還在使用193nm ArF浸潤式光刻機+多重成像技術，但采用多重成像技術后將增加曝光次數，導致成本顯著上升及良率、產出下降等問題。根據相關企業(yè)的規(guī)劃，在7/5nm節(jié)點，芯片生產將導入極紫外（EUV）光刻技術，EUV光刻使用13.5nm波長的極紫外光，能夠形成更為精細的曝光圖像。芯片廠商計劃將EUV光刻應用到最困難的光刻工序，即金屬1層以及過孔生成工序，而其他大部分工序則仍將延用193nm ArF浸潤式光刻機+多重成像來制作。據EUV光刻機生產商阿斯麥（ASML）稱，相比浸潤式光刻+三重成像技術，EUV光刻技術能夠將金屬層的制作成本降低9%，過孔的制作成本降低28%。
EUV光刻的關鍵技術包括EUV光源和高數值孔徑（NA）鏡頭，前者關乎光刻機的吞吐量（Throughput），后者關乎光刻機的分辨率（Resolution）和套刻誤差(Overlay)能力等。目前，全球EUV光刻機生產基本上由荷蘭阿斯麥公司所壟斷，其最新 NXE:3400B EUV機型，采用245W光源，在實驗條件下，未使用掩膜保護膜（pellicle），已實現(xiàn)每小時曝光140片晶圓的吞吐量；該機型在用戶端的測試中，可達到每小時曝光125片晶圓的吞吐量，套刻誤差2nm；按照阿斯麥公司EUV技術路線規(guī)劃，公司將在2018年底前，通過技術升級使NXE:3400B EUV機型的套刻誤差減小到1.7nm以下，滿足5nm制程的工藝需求；在2019年中，采用250W EUV光源，達到每小時145片晶圓的量產吞吐量；在2020年，推出升級版的NXE:3400C EUV機型，采用250W EUV光源達到155片/時的量產吞吐量。總體上，目前的250W EUV光源已經可以滿足7nm甚至5nm制程的要求，但針對下一代的EUV光源仍有待開發(fā)。據估算，在3nm技術節(jié)點，對EUV光源的功率要求將提升到500W，到了1nm技術節(jié)點，光源功率要求甚至將達到1KW。
高數值孔徑（High-NA）光學系統(tǒng)方面，由于極紫外光會被所有材料（包括各種氣體）吸收，因此極紫外光光刻必需在真空環(huán)境下，并且使用反射式透鏡進行。目前，阿斯麥公司已開發(fā)出數值孔徑為0.33的EUV光刻機鏡頭，阿斯麥正在為3nm及以下制程采開發(fā)更高數值孔徑（NA）光學系統(tǒng)，公司與卡爾蔡司公司合作開發(fā)的數值孔徑為0.5的光學系統(tǒng)，預計在2023-2024年后量產，該光學系統(tǒng)分辨率(Resolution)和生產時的套刻誤差(Overlay)比現(xiàn)有系統(tǒng)高出70%，每小時可以處理 185 片晶圓。
除光刻機之外，EUV光刻要在芯片量產中應用仍有一些技術問題有待進一步解決，如：光刻膠、掩膜、掩膜保護薄膜（pellicle）。
光刻膠方面，要實現(xiàn)大規(guī)模量產要求光刻膠的照射反應劑量水平必須不高于20mJ/cm2。而目前要想得到完美的成像，EUV光刻膠的照射劑量普遍需要達到30-40mJ/cm2。在30mJ/cm2劑量水平，250w光源的EUV光刻機每小時吞吐量只能達到90片，顯著低于理想的125片。由于EUV光刻產生的一些光子隨機效應，要想降低光刻膠的照射劑量水平仍需克服一系列挑戰(zhàn)。其中之一是所謂的光子發(fā)射噪聲現(xiàn)象。光子是光的基本粒子，成像過程中照射光光子數量的變化會影響EUV光刻膠的性能，因此會產生一些不希望有的成像缺陷，比如：線邊緣粗糙(line-edge roughness:LER)等。
光掩膜版，EUV光刻使用鏡面反射光而不是用透鏡折射光，因此EUV光刻采用的光掩膜版也需要改成反射型，改用覆蓋在基體上的硅和鉬層來制作。同時，EUV光刻對光掩膜版的準確度、精密度、復雜度要求比以往更高。當前制作掩膜版普遍使用的可變形狀電子束設備(VSB)，其寫入時間成為最大的挑戰(zhàn)，解決方案之一是采用多束電子束設備。包括IMS公司、NuFlare公司等已在開發(fā)相關多束電子束產品，多束電子束設備能夠提高光掩膜版制作效率，降低成本，還有助于提高光掩膜版的良率。未來，大部分EUV光掩膜版仍可以使用可變形狀電子束設備來制作，但是對少數復雜芯片而言，要想保持加工速度，必須使用多束電子束設備。
EUV薄膜，EUV薄膜作為光掩膜的保護層，提供阻隔外界污染的實體屏障，可以防止微塵或揮發(fā)氣體污染光掩膜表面，減少光掩膜使用時的清潔和檢驗。阿斯麥公司已經開發(fā)出83%透射率的薄膜，在采用245W光源，測試可達到100 片晶圓/時吞吐量，阿斯麥的目標是開發(fā)出透射率90%的透明薄膜，可承受300W的EUV光源，實現(xiàn)125片晶圓/時的吞吐量。
初期，EUV光刻還是主要應用于高端邏輯芯片、存儲芯片的生產，主要芯片企業(yè)已相繼宣布了各自導入EUV光刻的計劃。