在去年5月的Samsung Foundry Forum論壇上，三星宣布采用5／4／3nm工藝技術。根據Tom＇s Hardware今天的新聞，根據三星高管所說，他們今年下半年會量產7nm EUV工藝，2021年則會量產更先進的3nm GAA工藝。
此外，三星還表示，將在今年下半年開始生產7nm的超視距芯片。去年，三星還表示，它將在2020年使用4納米砷化鎵場效應晶體管（gate all around fet）工藝。然而，一些業內人士，包括加納副總裁王國榮（Samuel Wang）對Gaafet芯片能否在2022年投產表示懷疑。
盡管臺積電和格羅方德Global Foundries在EUV芯片開發方面并沒有落后，但三星也有自己的優勢。三星公司內部開發了自己的EUV掩膜檢測工具，但尚未開發出類似的商業工具。
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