根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，2018年NAND Flash市場經(jīng)歷全年供過于求，且2019年筆記本電腦、智能手機、服務器等主要需求表現(xiàn)仍難見起色，預計產(chǎn)能過剩難解。在此情況下，供應商將進一步降低資本支出以放緩擴產(chǎn)進程，避免位元成長過多導致過剩狀況加劇。

　　DRAMeXchange調(diào)查指出，2018年因供過于求難以遏制，韓系供應商帶頭降低資本支出。NAND Flash總體資本支出下調(diào)近10%，但供需失衡的情形仍無法逆轉(zhuǎn)。2019年美系廠商減少資本支出，使得NAND Flash整體資本支出較2018年持續(xù)下滑約2%，總支出規(guī)模約為220億美元。

　　受到供應商擴產(chǎn)計劃調(diào)整的影響，盡管各供應商已于2018年第四季起量產(chǎn)92/96層3D NAND，但直至2019年底將僅占約32%的位元產(chǎn)出，而64/72層的產(chǎn)出占比則超過50%。供應商制程推進的放緩將導致2019年NAND Flash位元成長僅約38%，相比2018年逾45%的水平明顯下降。

　　觀察各供應商產(chǎn)能調(diào)整，DRAMeXchange指出，三星持續(xù)減產(chǎn)2D NAND產(chǎn)能，加上92層制程會消耗更多的廠房空間，2019年運轉(zhuǎn)產(chǎn)能將較2018年底下調(diào)，位元產(chǎn)出成長率降至約35%。由于三星全球市占率約3成，三星位元產(chǎn)出成長率的放緩對全球產(chǎn)出成長影響較大。

　　SK海力士、東芝/西數(shù)分別有M15以及Fab 6的新廠擴建，但同樣受到減產(chǎn)計劃或轉(zhuǎn)產(chǎn)舊制程的影響，產(chǎn)出年成長率或低于預期。SK海力士和東芝/西數(shù)原先位元產(chǎn)出成長率預估值分別約為50%與40%水平，DRAMeXchange預期會各自下修到50%以下，以及約35%的水位，以反映今年市場需求的急凍；美光的新加坡新廠2020年才正式量產(chǎn)，因此全年產(chǎn)能幾乎維持不變；英特爾除了填滿大連廠產(chǎn)能，并無宣布其他擴產(chǎn)規(guī)劃。美光與英特爾陣營2019年整體位元產(chǎn)出成長接近40%水平，相較2018年45%以上的成長幅度明顯收斂。

　　從2019年NAND Flash價格走勢來看，DRAMeXchange指出，由于原廠在各產(chǎn)品線的合約價報價跌幅皆明顯高于預期，顯示原廠正面臨龐大的庫存壓力。因此，NAND Flash 2019年第一季市場均價季度跌幅度可能從原先估計的10%，一舉提高至20%水平，第二季報價可能將續(xù)跌將近15%。下半年有旺季需求，跌幅可望略微收斂，但各季價格跌幅仍將維持在10%左右水平，還要看原廠是否能再進一步降低自身產(chǎn)出水位。

　　綜上所述，DRAMeXchange認為，今年旺季若仍無足夠需求動能支撐，NAND Flash市場均價跌幅則可能擴大至50%水平，近乎腰斬。