半導體設備供應商的排名在2016－2017年間沒有發生太大的變化，但是這種格局正在發生變化。不僅Lam Research、ASML和東京電子的位次發生調轉，排名第一的應用材料公司的寶座位置也岌岌可危。

自1990年以來，應用材料公司一直是半導體設備領域的市場領導者。在此之前的1989年，坐在鐵王座位置上的還是日本的東京電子，該公司2016年排名第四，今年前三季度的新排名則是第二。除了位次的變化，也許更重要的是，領頭羊和第二名的差距正在迅速收窄。

2016年，應用材料公司的市場份額比Lam Research高出足足9．3個百分點，2017年，應用材料公司的領先優勢降至6．4個百分點，現在，截至2018年前三季度，應用材料公司的市場份額僅僅領先排名第二的東京電子2個百分點。

值得注意的是，根據近三年的數據，應用材料公司是前幾席中唯一一家市場份額持續降低的公司，相比之下，ASML和東京電子則是這個時期市場份額持續增加的兩家公司。

更多逆風來襲

2016年，半導體設備市場規模為412億美金，2017年增長至566美金，增長幅度高達37．2％。2018年風云突變，截至2018年前三季度，半導體設備市場營收同比去年增長了19．4％。假設2018年全年半導體設備市場營收同比2017年增長10％，那么，2018年第四季度的市場營收應為127億美元，比2017年第四季度同比下降15．2％。圖1給出了半導體設備市場在2015－2018年間各個季度的營收變化。

圖1

半導體設備市場營收的大部分增長來自于韓國半導體制造商，特別是內存公司三星電子和SK海力士。2017年半導體設備市場錄得高達566億美元的營收，韓國的貢獻率高達31．7％。2018年前三季度，韓國風頭不減，貢獻率依然高達全球市場的29．4％。

相比今年早期，服務器、個人電腦和智能手機的市場需求明顯走低，內存的價格也開始逐步下滑。由于DRAM和NAND的平均銷售價格下滑，內存公司有意放緩資本支出。三星電子明確表示，為了保持盈利能力，將實行戰略性的庫存控制，原本計劃在平澤工廠增加每月2萬－3萬片晶圓的DRAM產能將推遲到2020年。

三星電子原本計劃在2019年擴大Pyeongtaek一號工廠的NAND產能，2020年擴大西安二號工廠的NAND產能，如果NAND產品的利潤率下降，三星有意推遲這些計劃。

所有半導體設備供應商都對內存公司青睞有加，尤其是應用材料公司和Lam Research公司。在截至2018年10月份的最新一個財季中，應用材料公司財報顯示，其收入的60％都來自于內存公司。

由于iPhone銷售遜于預期，以及加密貨幣的崩潰，臺積電也減少了今年的資本支出。

除了EUV光刻機之外，應用材料公司與表1列出的所有半導體設備公司都有競爭關系。ASML是EUV（極紫外）光刻設備的獨家供應商。隨著半導體行業逐漸轉向7nm工藝節點，EUV應該會慢慢取代DUV沉浸式光刻技術。

EUV替代DUV沉浸式光刻設備將大大減少沉積、蝕刻和計量步驟。目前的DUV沉浸在30nm特征下處理器件還是可行的，在30nm之下，工程師為了擴展DUV光刻工具的使用，加入了多重圖案化步驟。多重圖案化可以使用AMAT和LRCX（以及其它公司）的設備，它的特點是存在密集的沉積和蝕刻步驟，換句話說，半導體制造商目前為了避免購買極其昂貴的EUV光刻設備，正在使用需要使用大量沉積和蝕刻設備的多重圖案化工藝。

看一下圖2，在20nm節點時使用沉浸式DUV（ArF－1） ，需要13個掩膜層，每層的蝕刻都包含多個沉積、蝕刻步驟，如果繼續下探到10nm，掩膜層數量將增加到18層，沉積－蝕刻步驟也將增加50％。

圖2

7nm工藝節點上的多重圖案化更加驚人，如圖表左下角所示，需要的掩膜層多達27個。不過，如果在7nm時切換到EUV光刻技術上（圖右下角），僅僅需要14個掩膜層，和使用DUV沉浸式光刻在20nm節點時差不多。

從DUV切換到EUV，雙光刻、雙蝕刻（LELE）這些工藝步驟也將取消，而ArF－1（沉浸式DUV）將繼續用于自對準圖案化（SADP）和自我對齊的四重模式（SAQP）工藝。最重要的是，EUV將消除掉一半處理步驟。

這些轉變都將對2019年半導體設備市場的持續增長不利，甚至有重大損害。根據Information Network的《全球半導體設備：市場、市場份額和市場預測》報告，2019年全球半導體設備市場營收可能下降8％。