研究人員通過(guò)一種自上而下的技術(shù)來(lái)創(chuàng)建水平微絲，該技術(shù)與垂直導(dǎo)線隨機(jī)放置和不均勻直徑或曲率不同的波導(dǎo)生長(zhǎng)方法相比，可以實(shí)現(xiàn)更好的生產(chǎn)重復(fù)性。 此外，該技術(shù)減少了對(duì)結(jié)構(gòu)到另一基板的復(fù)雜剝離和層轉(zhuǎn)移的需要或其他增加生產(chǎn)成本的復(fù)雜過(guò)程。

利用300nm等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）二氧化硅層制備2英寸高阻（100）硅襯底，該二氧化硅層被轉(zhuǎn)成3μm條紋；通過(guò)氫氧化鉀濕法蝕刻硅表面使其產(chǎn)生具有（111）小平面的梯形通道，使其呈現(xiàn)最有利于III族氮化物生長(zhǎng)的六方原子排列； 然后用氫氟酸溶液除去氧化物。

微絲陣列通過(guò)采用300nm AlN絕緣緩沖液低壓（100mbar）金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD），然后再摻雜入GaN（圖1）制備得到。將導(dǎo)線與兩個(gè)相距20μm的鎳／金肖特基電極接觸。通過(guò)熒光實(shí)驗(yàn)可以看出其顯示出了一個(gè)尖銳且高強(qiáng)度的近帶邊發(fā)射峰，中心為364．5nm（～3．4eV），且并未未觀察到代表雜質(zhì)和缺陷的黃色發(fā)光。

圖1：（a）圖案化硅襯底上的GaN基微絲陣列的示意圖。（b）典型的SEM 圖像。（c）GaN微絲的HR－TEM 圖像。（d）制造的有序排列的探測(cè)器的光學(xué)顯微鏡圖像； 比例尺100μm。（e）一個(gè)探測(cè)器的放大圖像； 比例尺20μm。

在2500μW·cm－2 325nm氦鎘激光功率，5．0V偏壓下，電流為2．71mA；暗電流為1．3μA，靈敏度為2．08×10E5％；電流 － 光輸出功率依賴性遵循冪指數(shù)為0．995；冪指數(shù)接近1表示為低密度的陷阱態(tài)和GaN微絲的晶體質(zhì)量很好；響應(yīng)度計(jì)算為1．17x10E5A ／ W，外部量子效率（EQE）為4．47x10E5；最大特定探測(cè)率為10E16瓊斯。

研究人員聲稱，他們所研制的紫外光電探測(cè)器與目前報(bào)道的單一GaN納米／微電子和納米線陣列光電探測(cè)器相比具有高紫外線靈敏度，高響應(yīng)度和高EQE的特點(diǎn)。

圖2：（a）GaN微絲的室溫微熒光光譜； （b）黑暗（黑色曲線）和325nm紫外線照射（紅色曲線）下的I － V 特性； 插圖，測(cè)試光電探測(cè)器的原理圖； （c）與光密度有關(guān)的I － V曲線； （d）電流隨光強(qiáng)度而變化； （e）響應(yīng)度和EQE相關(guān)的波長(zhǎng)曲線； （f）特定的檢測(cè)率依賴的功率密度曲線。

該團(tuán)隊(duì)還在藍(lán)寶石上創(chuàng)建了一個(gè)具有3μmGaN層的對(duì)比器件。這些器件采用鎳／金觸點(diǎn)。電極光刻使用與硅上的微絲器件相同的光掩模。靈敏度，響應(yīng)度和EQE分別為2．77x10E4％，0．21A ／ W和0．80。

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