SK海力士宣布成功開(kāi)發(fā)1ynm 16Gb DDR5 DRAM，支持5200Mbps的數(shù)據(jù)傳輸速率，比上一代的3200Mbps快約60％，每秒可處理41.6GB數(shù)據(jù)或11個(gè)全高清視頻文件（每個(gè)3.7GB）。

　　SK海力士1ynm 16Gb DDR5 DRAM是滿足JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的DDR5產(chǎn)品，并將于2020年大規(guī)模量產(chǎn)。

　　之前SK海力士推出的8Gb DDR4 DRAM也是采用的1ynm工藝技術(shù)。隨著1ynm技術(shù)的擴(kuò)大應(yīng)用，將有助于提高SK海力士在業(yè)界的領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

　　與DDR4相比，DDR5具有超高速、高密度、低功耗等優(yōu)勢(shì)，適用于大數(shù)據(jù)、人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)等數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用。SK海力士成功將DDR5工作電壓從1.2V降至1.1V，與上一代DDR4 DRAM相比，功耗降低30%。

　　DDR5整體效能都比前一代提升不少，電力方面是將DDR4的運(yùn)轉(zhuǎn)電壓從1.2V降低到1.1V，讓耗電量與前一代相比減少30%。數(shù)據(jù)傳輸速度也提高了1.6倍，從前一代的3200Mbps提高至5200Mbps。若實(shí)際舉例，DDR5只用1秒就能處理11部3.7GB大的Full HD電影，相當(dāng)于41.6GB的數(shù)據(jù)。

　　同時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)單元（Cell）領(lǐng)域的單位管理區(qū)域（bank），也從16個(gè)擴(kuò)大到32個(gè)，意味著能夠一次性處理的數(shù)據(jù)量，從8個(gè)增加到了16個(gè)。另外，SK海力士也期待透過(guò)芯片內(nèi)置的糾錯(cuò)回路（Error Correcting Code），能大幅提升高用量系統(tǒng)的信賴度。

　　值得注意的是，為了確保DDR5的高效能，運(yùn)用了許多新技術(shù)，其中包含能把D-RAM的讀取、寫入的回路，調(diào)節(jié)為最佳狀態(tài)的高速訓(xùn)練技術(shù)（high speed training scheme）、去除傳送時(shí)出現(xiàn)雜音的DFE、并列處理命令或數(shù)據(jù)的4Page Clocking 、最小化讀取數(shù)據(jù)時(shí)的扭曲或雜音情況，以及能夠創(chuàng)造低雜音、高性能的新款DDL與DCC等。

　　早在今年5月，Cadence就展示了首款DDR5內(nèi)存驗(yàn)證模組，DRAM來(lái)自美光，接口層自研，采用臺(tái)積電7nm工藝，數(shù)據(jù)率可達(dá)4400MT/s，也就是頻率高達(dá)4400MHz。

　　按照進(jìn)度，JEDEC有望年底公布DDR5最終規(guī)范，預(yù)計(jì)起步頻率4800MHz，最高可達(dá)6400MHz。此外，還將對(duì)電壓、總線效率等進(jìn)行改善。

　　除了SK海力士，三星在7月份宣布成功開(kāi)發(fā)出10nm級(jí)8Gb LPDDR5 DRAM，主要應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備、如手機(jī)平板、二合一電腦等。美光也規(guī)劃其16Gb DDR5芯片將在2019年底量產(chǎn)，并基于18nm以下工藝。隨著人工智能等技術(shù)的發(fā)展，業(yè)界預(yù)計(jì)從2020年開(kāi)始，市場(chǎng)對(duì)DDR5芯片的需求將不斷的增加，2023年將主導(dǎo)市場(chǎng)。