隨著64層堆棧3D NAND閃存的大規(guī)模量產(chǎn)，全球6大NAND閃存廠商今年都開(kāi)始轉(zhuǎn)向96層堆棧的新一代3D NAND，幾家廠商的技術(shù)方案也不太一樣，SK Hynix給他們的新閃存起了個(gè)4D NAND閃存的名字，在今年的FMS國(guó)際閃存會(huì)議上正式宣告了業(yè)界首個(gè)基于CTF技術(shù)的4D NAND閃存，日前他們又宣布4D NAND閃存正式量產(chǎn)，目前主要是TLC類型，96層堆棧，512Gb核心容量，使用該技術(shù)可以減少30%的核心面積，讀取、寫(xiě)入速度分別提升30%、25%。

　　根據(jù)SK Hynix之前公布的信息，所謂的4D NAND閃存其實(shí)也是3D NAND，它是把NAND閃存Cell單元的PUC（Peri Under Cell）電路從之前的位置挪到了底部，所以叫了4D NAND閃存，本質(zhì)上其實(shí)還是3D NAND，4D NAND閃存有很強(qiáng)的商業(yè)營(yíng)銷味道。

　　SK Hynix的4D NAND閃存首先會(huì)量產(chǎn)TLC類型的，核心容量分別是512Gbt、1Tb，都是96層堆棧，IO接口速度1.2Gbps，不過(guò)兩者的BGA封裝面積是不一樣的，1Tb版顯然更大一些。

　　至于QLC類型的，這個(gè)未來(lái)會(huì)是SK Hynix量產(chǎn)的重點(diǎn)，核心容量1Tb，但量產(chǎn)時(shí)間會(huì)在明年下半年，還需要一些時(shí)間。

　　韓聯(lián)社報(bào)道稱，SK Hynix公司4日宣布正式宣布96層堆棧的4D NAND閃存，TLC類型，核心容量512Gb，與現(xiàn)有的72層堆棧3D NAND閃存相比，4D NAND閃存的核心面積減少了30%，單片晶圓的生產(chǎn)輸出增加了50%，而且性能也更強(qiáng)——讀取速度提升30%，寫(xiě)入速度提升25%。

　　根據(jù)官方所說(shuō)，4D NAND閃存今年內(nèi)會(huì)量產(chǎn)，而主要生產(chǎn)基地就是剛剛落成的M15工廠，總投資高達(dá)15萬(wàn)億韓元，約合135億美元。