氮化物是氮與電負性比它小的元素形成的二元化合物。由過渡元素和氮直接化合生成的氮化物又稱金屬型氮化物。它們屬于 “間充化合物”，因氮原子占據著金屬晶格中的間隙位置而得名。這種化合物在外觀、硬度和導電性方面似金屬，一般都是硬度大、熔點高、 化學性質穩定，并有導電性。鈦、釩、鋯、鉭等的氮化物堅硬難熔，具有耐化學腐蝕、耐高溫等特 點。例如，TiN熔點為2 930～2 950℃，是熱和電的良導體，低溫下有超導性，是制造噴氣發動機的材料。ZrN在低溫有超導性，現用作反應堆材料。

　　近日，由北京大學作為牽頭單位，聯合清華大學、中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所、北京郵電大學、西安電子科技大學、廣東省半導體產業技術研究院、華中科技大學、中國科學院上海技術物理研究所、中國電子科技集團公司第五十五研究所、湖南大學、廈門大學、中國科學院半導體研究所、北京科技大學、合肥彩虹藍光科技有限公司等14家單位共同承擔的國家重點研發計劃“戰略性先進電子材料”重點專項“氮化物半導體新結構材料和新功能器件研究”項目啟動會，在北京西郊賓館會議中心舉行。

　　科技部高技術研究發展中心材料處處長史冬梅、“戰略性先進電子材料”專項主管楊斌代表項目管理部門出席并指導項目啟動的相關工作。出席項目啟動會的專家包括南京大學鄭有炓院士、北京大學甘子釗院士、基金委信息學部主任西安電子科技大學郝躍院士、基金委信息學部綜合處潘慶處長、香港科技大學葛惟昆教授、蘇州納米所徐科研究員、全球能源互聯網研究院邱宇峰教授、半導體所陳弘達研究員、李晉閩研究員、南京大學施毅教授、物理所韓秀峰研究員、北京大學沈波教授和王新強教授等。北京大學科研部副部長韋宇也應邀出席了啟動會。

　　北京大學物理學院寬禁帶半導體研究中心唐寧副教授作為項目負責人介紹了項目總體情況以及項目的實施方案。項目各課題負責人清華大學郝智彪教授、蘇州納米所邊歷峰研究員和唐寧分別匯報了所負責課題的概況、實施方案及近期研究進展。

　　該項目圍繞后摩爾時代信息領域對分立光電子和電子器件的需求，開展基于氮化物半導體新結構材料和新功能器件的研究，重點突破氮化物半導體的零維量子點、一維量子線和二維量子阱及其復合結構等低維量子結構的制備，深入研究低維量子結構中載流子的輸運/復合/躍遷及其調控規律，研制出單光子源、紫外紅外雙色探測器、太赫茲發射及探測器件和自旋場效應晶體管器件，形成具有自主知識產權的核心技術，為第三代半導體材料和器件的持續發展奠定基礎。

　　專家組針對項目的研究內容進行了研討與分析，在對項目充分肯定的同時，也對項目的基礎科學創新、關鍵考核指標以及團隊合作、項目管理等方面提出了寶貴的意見和建議，并預祝項目組順利完成項目任務，推動我國在寬禁帶半導體材料和器件領域的進一步發展。