本周，三星電子展示了全球第一款單條容量高達(dá)256GB的內(nèi)存條，即將登陸服務(wù)器平臺(tái)。就在半年前，三星曾展示過單條64GB DDR4內(nèi)存，面向服務(wù)器的RDIMM類型，基于其最新的16Gb(2GB)顆粒，并稱完全可以做到單條256GB，沒先到這么快就實(shí)現(xiàn)了。
這條256GB內(nèi)存也是RDIMM規(guī)格，支持ECC糾錯(cuò)，搭載了多達(dá)36顆內(nèi)存芯片，每顆容量8GB(64Gb)，內(nèi)部集成的正是前述單Die容量16Gb(2GB)的新型顆粒，四顆通過TSV硅穿孔技術(shù)集成在一顆芯片內(nèi)。
內(nèi)存條上還有一顆IDT 4RCD0229K寄存器芯片，用來緩沖尋址和指令信號(hào)，提升單個(gè)內(nèi)存通道支持的Rank數(shù)量。
正是得益于這顆芯片的支持，整個(gè)內(nèi)存條有多達(dá)八個(gè)Rank，包括兩個(gè)物理Rank和四個(gè)邏輯Rank。
那么，256GB內(nèi)存條能干啥？
AMD EPYC霄龍平臺(tái)現(xiàn)在支持最大單條128GB LRDIMM內(nèi)存，單/雙路系統(tǒng)最大內(nèi)存容量2/4TB，如果能通過更新微代碼支持單條256GB，或者在下代7nm平臺(tái)上實(shí)現(xiàn)，單/雙路系統(tǒng)內(nèi)存可達(dá)4/8TB。
Intel Xeon至強(qiáng)這邊，將在年底發(fā)布的下一代Cascade Lake有望支持最大3.84TB內(nèi)存(12條插槽)，而如果換成單條256GB，雙路系統(tǒng)就可達(dá)6TB。
另外，部分得益于新的10nm級(jí)別工藝，單條256GB相比兩條128GB不但延遲更低，功耗也會(huì)更低，對(duì)于內(nèi)存密集的數(shù)據(jù)中心來說會(huì)頗為可觀。
三星目前暫未披露256GB內(nèi)存條的具體規(guī)格，但頻率應(yīng)該就是2400/2667MHz檔次。
至于價(jià)格，英睿達(dá)(Crucial) 128GB LRDIMM現(xiàn)在就要3300美元，所以發(fā)揮想象吧，256GB的肯定會(huì)翻一番還多，算下來5萬人民幣都是低的。
