在功率半導(dǎo)體器件制造中通常使用的

　　金屬-半導(dǎo)體接觸

　　有肖特基接觸和歐姆接觸兩種。

　　金屬-半導(dǎo)體接觸的質(zhì)量

　　對(duì)于器件性能起著至關(guān)重要的作用。

　　由于半導(dǎo)體材料的逸出功小于金屬材料，當(dāng)金屬與半導(dǎo)體材料接觸時(shí)，半導(dǎo)體材料中的電子能夠掙脫電子核的束縛流入金屬，從而在半導(dǎo)體材料表面形成一個(gè)由帶正電的離子組成的空間電荷區(qū)。與PN結(jié)類(lèi)似，正是由于空間電荷區(qū)勢(shì)壘的存在使得肖特基結(jié)具有整流特性。

　　除了應(yīng)用在各種功率器件以及電路中，肖特基接觸還可以當(dāng)做測(cè)試工具來(lái)用于研究金屬-半導(dǎo)體系統(tǒng)中的體缺陷以及表面特性。

　　理想因子n被定義用來(lái)評(píng)估勢(shì)壘區(qū)的缺陷以及表面特性。

　　當(dāng)n=1時(shí)，表示勢(shì)壘區(qū)無(wú)缺陷，沒(méi)有復(fù)合中心存在，載流子幾乎不發(fā)生復(fù)合，正向電流以擴(kuò)散電流為主，復(fù)合電流為零;當(dāng)n=2時(shí)，表示勢(shì)壘區(qū)缺陷極多，載流子以復(fù)合運(yùn)動(dòng)為主，幾乎沒(méi)有擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，正向電流只有復(fù)合電流。實(shí)際上，一般情況下，n的值介于1和2之間，n的值越接近2，就表示勢(shì)壘區(qū)的缺陷越多。因此，正向肖特基結(jié)常被用于研究半導(dǎo)體材料表面缺陷。

　　在實(shí)際測(cè)試過(guò)程中，我們通過(guò)結(jié)的正向I-V特性曲線(xiàn)來(lái)計(jì)算理想因子的值。

　　理論上來(lái)說(shuō)，測(cè)試時(shí)只要知道位于對(duì)數(shù)曲線(xiàn)線(xiàn)性區(qū)的兩點(diǎn)對(duì)應(yīng)的電壓和電流的值就可以計(jì)算出該結(jié)對(duì)應(yīng)的區(qū)域的理想因子。

　　分母的值必然小于38.46，當(dāng)分母值越接近38.46時(shí)，n值越接近1表示該區(qū)域包含的缺陷越少。

　　下圖為揚(yáng)杰科技生產(chǎn)的碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管的正向I-V特性曲線(xiàn)。

　　根據(jù)測(cè)試所得數(shù)據(jù)，計(jì)算n值約為1.09，接近理想值1，可以判斷該區(qū)域外延材料缺陷較少。