科技是人類一大進步的基石，自從第一次工業革命開始后，人類發展的速度突飛猛進。越來越多科技產品的出現便利了人們的生活，現如今人們離不開電子產品等時代的產物了。

　　時代在進步，科技也要繼續發展，而半導體作為今日大部分電子產品，如計算機、移動電話等產品中的核心單元必不可少的材料，他的發展更是決定了科技發展的速度。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導體材料中，在商業應用上最具有影響力的一種。

　　直至今日，半導體已經發展到第三代半導體的時代，第三代半導體材料憑借其性能優勢和巨大的產業帶動作用，使得歐美日等發達國家和地區都把發展碳化硅半導體技術列入國家戰略，投入巨資支持發展。在大力發展第三代半導體的眾多企業之中，羅姆憑借其全面的技術，得到了世界的認可，本文將講述羅姆與其第三代半導體。

　　一、半導體的變化之路

　　半導體的發展實際上可以追溯到很久以前。從1833年，英國科學家電子之父法拉第最先發現半導體現象至今，人們已經推動半導體發展到了第三代。

　　第一代半導體材料主要是指硅(Si)、鍺元素(Ge)半導體材料。作為第一代半導體材料的鍺和硅，在國際信息產業技術中的各類分立器件以及迅速發展的新能源、硅光伏產業中都得到了極為廣泛的應用，硅芯片在人類社會的每一個角落無不閃爍著它的光輝。

　　為了讓半導體在需要的時候具有盡量大的導電性，人們發明了摻雜（當然摻雜還有另外一個目的就是形成整流特性），這就形成了第二代半導體材料。主要包括：化合物半導體材料，如砷化鎵(GaAs);三元化合物半導體，如GaAsAl;還有一些固溶體半導體與非晶體半導體等。

　　第二代半導體材料主要用于制作高速、高頻、大功率以及發光電子器件，后期因信息高速公路和互聯網的興起，還被廣泛應用于衛星通訊、移動通訊、光通信和GPS導航等領域。

　　所謂的第三代半導體，基本上屬于我國科技界的詞匯，主要以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AlN)為代表的寬禁帶(Eg>2.3eV)半導體材料。

　　我們常說的半導體材料代際進步，就在于不斷追逐更優良絕緣體的高頻特性。以SiC等為代表的第三代半導體材料將被廣泛用于光電子等領域，而隨著“理想半導體”SiC生產成本的降低，SiC半導體正在憑借其優良的性能逐步取代Si半導體，打破Si基由于材料本身性能所遇到的瓶頸。無疑，它將引發一場類似于蒸汽機一樣的產業革命。

　　第三代半導體由于禁帶寬度大，導電性極低而成為最優良的絕緣體的代表，也成為了人們心中的理想半導體材料。

　　二、羅姆半導體的發展

　　2014年，美國占領下一代功率電子產業這個正出現的規模最大、發展最快的新興市場，同時創造出一大批高收入就業崗位。于此同時，日本也建立了“下一代功率半導體封裝技術開發聯盟”，由大阪大學牽頭，協同羅姆、三菱電機、松下電器等18家從事SiC等的知名企業和研究中心，共同開發適應SiC和GaN等下一代功率半導體特點的先進封裝技術。

　　1982年羅姆半導體成立了半導體研究中心，開始了數字晶體管的開發和銷售。一直以來羅姆憑借著被稱為“超常思維”的創新理念，再加上年輕的、充滿夢想和激情的員工的艱苦奮斗得到了迅速的發展。羅姆的分立式半導體產品主要有：晶體管、二極管、sic功率器件，而旗下半導體應用產品主要有：加速度傳感器、陀螺儀傳感器等。

　　羅姆從2002年左右就開始進行碳化硅前期的研究，在碳化硅的歷程來說，經驗非常豐富的，擁有18年的碳化硅研發的經驗。

　　其次，有一條龍的生態體系，有完整的碳化硅產業線，包括晶圓、原材料、封裝等都是羅姆一條龍來做的。

　　再次，羅姆擁有業界比較先進的Trench技術。最近普通硅基半導體已經用Trench技術做了，碳化硅稍微晚一點，但是羅姆走在前面。

　　最后，ROHM的碳化硅的可靠性非常高。

　　從整體來看，羅姆的半導體發展有幾個重要的時間點，09年收購了一家碳化硅晶圓原材料廠家。2010年開始量產SiC-SBD和全球首個量產SiC-MOS，2012年全球首個量產全碳化硅功率模塊，2015年全球首個量產Trench構造的SiC-MOS。去年全球領先的6英寸的碳化硅晶圓也開始量產。

　　因此我們現在看到的是ROHM是從原材料晶圓加工到最后的封裝都是一條龍生產體系。

　　從現在的發展趨勢來看，未來由半導體SiC材料制作成的功率器件將支撐起當今節能技術的發展趨向，成為節能設備最核心的部件，因此半導體SiC功率器件也被業界譽為功率變流裝置的“CPU”、綠色經濟的“核芯”。而羅姆也會加大發展力度，爭取在2022使得碳化硅得到廣泛的運用。