下游需求結構來看，手機、服務器、PC三大應用消耗了絕大部分存儲器芯片。主流存儲器市場以DRAM及NANDFlash為主，立基型存儲器則以EEPROM、小容量DRAM、NorFlash、SLCNAND等特殊型存儲器市場。從存儲容量需求來看，據(jù)美光數(shù)據(jù)2018-2020年DRAM的比特容量需求復合增速達到20-25%，NANDFlash的比特容量需求復合增速增速達到40-45%。
云計算即將跨入AI時代，單臺AI服務器需要2.5TBDRAM，是傳統(tǒng)服務器配置容量的數(shù)十倍。隨著AI服務器應用的普及，服務器DRAM的容量需求將不斷提升。預計到2021年，包括硬件、軟件、系統(tǒng)服務在內的全球AI市場規(guī)模將達到576億美金。
NANDFlash的增長主要受手機容量升級、SSD固態(tài)硬盤普及推動。手機閃存容量配置不斷升級，目前主流手機品牌旗艦機型搭載64GB作為入門版設置，在視頻應用、游戲應用驅動下，主流容量有進一步向128GB攀升趨勢。SSD固態(tài)硬盤產品已經觸及價格甜蜜點，未來將快速替代機械硬盤，2018-2020年是固態(tài)硬盤普及的黃金時期，滲透率曲線有望進入最陡峭的階段。
NandFlash全面進入3D時代，技術路線的變化為存儲芯片國產化提供契機。目前三星、美光、intel的3DNAND生產比重已經突破80%，預計到2019年底3DNAND的出貨比重將超過90%。相比2D平面NANDFlash產品，3DNAND的單位比特成本更低，并且在不斷向更高層數(shù)的產品演進。2018年是3DNAND從64層向96層過渡的一年，目前市場主流出貨產品為64層3DNAND，三星及東芝的96層研發(fā)工作已經完成，目前已進入試產階段。
特殊型存儲器產品形態(tài)多樣化，涵蓋SpecialityDRAM、NORFlash、SLCNAND、EEPROM、SRAM等。特殊型存儲器行業(yè)具有下游應用風扇、競爭格局好、產業(yè)向大陸轉移等特點，是能誕生高成長公司的好賽道。汽車智能化的需求愈演愈烈，ADAS、車聯(lián)網的ECU搭載率越來越高，國內本土存儲芯片企業(yè)有望持續(xù)擴大市場占有率。
投資策略：建議關注國內存儲產業(yè)鏈優(yōu)質企業(yè)。主流存儲器關：注長江存儲、福建晉華、合肥長鑫;特殊型存儲器關注兆易創(chuàng)新、武漢新芯、紫光國微;封測領域關注太極實業(yè)、深科技。，NANDFlash的比特容量需求復合增速增速達到40-45%。
云計算即將跨入AI時代，單臺AI服務器需要2.5TBDRAM，是傳統(tǒng)服務器配置容量的數(shù)十倍。隨著AI服務器應用的普及，服務器DRAM的容量需求將不斷提升。預計到2021年，包括硬件、軟件、系統(tǒng)服務在內的全球AI市場規(guī)模將達到576億美金。
NANDFlash的增長主要受手機容量升級、SSD固態(tài)硬盤普及推動。手機閃存容量配置不斷升級，目前主流手機品牌旗艦機型搭載64GB作為入門版設置，在視頻應用、游戲應用驅動下，主流容量有進一步向128GB攀升趨勢。SSD固態(tài)硬盤產品已經觸及價格甜蜜點，未來將快速替代機械硬盤，2018-2020年是固態(tài)硬盤普及的黃金時期，滲透率曲線有望進入最陡峭的階段。
NandFlash全面進入3D時代，技術路線的變化為存儲芯片國產化提供契機。目前三星、美光、intel的3DNAND生產比重已經突破80%，預計到2019年底3DNAND的出貨比重將超過90%。相比2D平面NANDFlash產品，3DNAND的單位比特成本更低，并且在不斷向更高層數(shù)的產品演進。2018年是3DNAND從64層向96層過渡的一年，目前市場主流出貨產品為64層3DNAND，三星及東芝的96層研發(fā)工作已經完成，目前已進入試產階段。
特殊型存儲器產品形態(tài)多樣化，涵蓋SpecialityDRAM、NORFlash、SLCNAND、EEPROM、SRAM等。特殊型存儲器行業(yè)具有下游應用風扇、競爭格局好、產業(yè)向大陸轉移等特點，是能誕生高成長公司的好賽道。汽車智能化的需求愈演愈烈，ADAS、車聯(lián)網的ECU搭載率越來越高，國內本土存儲芯片企業(yè)有望持續(xù)擴大市場占有率。
投資策略：建議關注國內存儲產業(yè)鏈優(yōu)質企業(yè)。主流存儲器關：注長江存儲、福建晉華、合肥長鑫;特殊型存儲器關注兆易創(chuàng)新、武漢新芯、紫光國微;封測領域關注太極實業(yè)、深科技。