事實上，中國三大存儲器項目的起始年份都在2016年。
長江存儲：2016年2月23日國務院批復國家存儲器基地落戶武漢；2016年3月28日國家存儲器基地奠基；2016年7月26日長江存儲科技有限責任公司成立；2016年12月30日正式開工建設。
晉華集成：福建省“十三五”規(guī)劃綱要提出，建設福州、廈門、泉州、莆田等集成電路產業(yè)基地，形成沿海集成電路產業(yè)帶。2016年2月26日，晉華存儲器集成電路生產線項目正式落地晉江，這個三級政府合資的大手筆項目，目標直指芯片國產化。
長鑫集成：長鑫集成起源于“506項目”，據(jù)悉在2016年5月6日，兆易創(chuàng)新朱一明董事長和合肥市及經(jīng)開區(qū)主要領導研討合肥的存儲器項目發(fā)展戰(zhàn)略，因而得名。“506”項目的主體包含長鑫集成、長鑫存儲、睿力集成三個運營主體，項目的發(fā)展目標就是為國內自主發(fā)展主流 DRAM 存儲器 IDM邁大步。2016年6月13日長鑫集成注冊成立。
時間來到2018年，三大存儲器廠商都將開始試投片，到2019年產能將逐步釋放。
根據(jù)筆者的統(tǒng)計，2018年第一季度長鑫集成率先移進機臺設備，第二季度長江存儲正式移進機臺設備，而在第三季度晉華集成已經(jīng)正式移進機臺設備，國內三大存儲器廠商“砸資金”和“見真功”的時候到了。
三大存儲器項目的重要時間節(jié)點
芯思想研究院經(jīng)過和三大存儲器項目的溝通和拜訪，為大家列出三大存儲器項目的重要時間節(jié)點。
長江存儲作為國家存儲器基地項目，主要產品為3D NAND，將以芯片制造環(huán)節(jié)為突破口，集存儲器產品設計、技術研發(fā)、晶圓生產與測試、銷售于一體。國家存儲器基地項目規(guī)劃，預計5年投入1600億元（約合240億美元），到2020年形成月產能30萬片的生產規(guī)模，到2030年建成每月100萬片的產能。項目預計2018年第四季度實現(xiàn)32層64G NAND FLASH小規(guī)模量產，初期月產能5000片。
晉華集成(JHICC)是由福建省電子信息集團、及泉州、晉江兩級政府共同出資設立，被納入我國“十三五”集成電路重大生產力布局規(guī)劃。晉華集成電路與臺灣聯(lián)華電子開展技術合作，專注于隨機存取存儲器（DRAM）領域。預估2018年9月正式投產，到2019年底一廠一期項目可實現(xiàn)月產6萬片12英寸晶圓的產能，到2020年底一廠二期也將達產6萬片。并適時啟動二廠的建設，到二廠達產時，總產能將達24萬片。
2018年7月16日，長鑫集成傳來喜訊，公司是國內第一家正式投片的存儲器項目。
2017年10月，兆易創(chuàng)新（603986）與合肥產投簽署了《關于存儲器研發(fā)項目之合作協(xié)議》，雙方在合肥經(jīng)開區(qū)開展19納米DRAM合作項目，預算約為180億元人民幣，目標是在2018年12月31日前研發(fā)成功。該項目所需投資由兆易創(chuàng)新與合肥產投公司根據(jù)1:4的比例負責籌集，資金投入的方式包括但不限于由雙方直接或間接股權投資或通過自身或指定主體提供借款實現(xiàn)。在未來產能方面約定，項目研發(fā)及生產的DRAM等優(yōu)先供兆易創(chuàng)新銷售并滿足其客戶的市場需求，以及優(yōu)先承接其DRAM產品的代工需求。
全球存儲器市場
目前全球存儲器市場主要分為DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH三大部分。由于NOR FLASH市場太小，全球年銷售規(guī)模不足10億美元，目前主要玩家是旺宏、華邦和兆易創(chuàng)新。文章主要涉及DRAM、NAND FLASH。
先看NAND FLASH情況。
全球NAND FLASH廠商主要有三星、SK海力士、美光、東芝、西部數(shù)據(jù)、英特爾等六家；長江存儲起碼排名全球第七。
目前三星主要依托韓國的FAB12/FAB16/FAB18和西安的FAB1X等四個工廠進行生產，截止2018年第一季度，三星的NAND FLASH月產能高達50萬片，其中3D NAND月產能約28萬片。依據(jù)公司規(guī)劃，F(xiàn)AB12/FAB16/FAB1X已經(jīng)達到滿載，2018年的增長主要來自FAB18。
除三星的FAB18廠擴產外，SK海力士的M14、美光的美國Lehi和新加坡Fab 10X、東芝Fab 2/Fab 6，以及英特爾大連廠(Fab 68)都在進行擴產。
SEMI報告顯示，從設備支出數(shù)據(jù)來看，2017年NAND產業(yè)設備支出約190億美元，較2016年100億美元爆發(fā)性成長，預估2018年NAND產業(yè)設備支出上看200億美元；從產能上看，3D NAND產業(yè)的產能在2017年成長130%，2018年預計再成長48%。
再看DRAM情況。
DRAM主要是三星、SK海力士、美光等三巨頭以及臺灣的華亞科技、華邦電子，長鑫集成和晉華集成無論如何都排名前七。
兩大韓系廠商三星、SK海力士是積極擴產，三星在FAB18 P1廠房和FAB 15、SK海力士的M14、美光Fab 15和Fab 16都有DRAM擴產計劃，但主要的增加仍是三星、SK海力士。
SEMI報告顯示，從設備支出數(shù)據(jù)來看，2017年DRAM廠設備支出約130億美元，較2016年是成長一倍，預計2018年持續(xù)成長至140億美元水平；從產能上看，2017年DRAM產能增加幅度是3%，2018年成長幅度上看10%。
2017年全球存儲器市場高達853億美元，根據(jù)SEMI統(tǒng)計，存儲器需求端未來呈現(xiàn)大噴發(fā)姿態(tài)，一直到2021年，DRAM需求端的成長率高達30%，而NAND Flash更是高達45%。
根據(jù)業(yè)界人士分析，存儲器產業(yè)的增長有四大驅動力，第一為物聯(lián)網(wǎng)(IoT)相關應用；第二類是大規(guī)模運算，涵蓋固態(tài)硬盤、存儲器磁碟陣列、深度學習系統(tǒng)等；第三類是汽車電子相關應用；第四類是消費性產品、通訊產品等。
三大項目如何評判
從目前公布的時間節(jié)點來看，三大存儲器項目的進度似乎差不多，基本上都是2018年試投片，2019年進入量產階段。至于什么時間企業(yè)能實現(xiàn)贏利，這是個可望但不可急的目標。做為國家戰(zhàn)略項目，盈利應該不是短期內的目標。
根據(jù)規(guī)劃，長鑫集成主攻移動式內存產品，目前中國品牌手機出貨已占全球四成以上，LPDDR4能順利量產并達到理想的良率，將有助于進口取代的策略。
晉華集成專注利基型內存的開發(fā)，將憑借著國內龐大的內需市場迅速壯大自身，如果產能爬坡和良率提升能夠如期完成，將影響國際巨頭在中國市場的銷售策略，目前和美光的訴訟案已經(jīng)影響了美光在國內的布局，雖然影響的產品僅占美光的不足1%，但后續(xù)發(fā)展值得期待。
長江存儲代表國內實現(xiàn)3D NAND量產的全新起點，2018年第四季度進入小規(guī)模量產，2019年進入64層128Gb 3D NAND的技術研發(fā)；4月11日在“2018供應商大會”上宣布，公司的32層3D NAND芯片已經(jīng)接獲首筆訂單，數(shù)量達10776顆芯片，將應用在8GB USD卡上，這代表國內3D NAND芯片研發(fā)已經(jīng)跨出成功的第一步，不但研發(fā)成功，并且進入商用化！
三大存儲器已經(jīng)做好了與國際巨頭搶市場的準備，不管未來如何，我們都要堅持。無論是國家支持的項目，還是地方政府支持的項目，都要具有民族產業(yè)發(fā)展的胸懷。
堅持就是勝利。