三星電子今天宣布，已開始大規(guī)模生產(chǎn)業(yè)內(nèi)首款用于游戲筆記本電腦的單條32GB DDR4 SoDIMM(小型雙列直插式內(nèi)存模塊)內(nèi)存。新的SoDIMM內(nèi)存基于10納米工藝技術(shù)，能夠顯著提高容量和速度的同時并降低能耗。
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與三星2014年推出的基于20nm DDR4的16GB SoDIMM相比，新款32GB模塊的容量翻了一番，速度提高了11%，提升至2,666Mbps，能效提高了約39%。
新的內(nèi)存可以允許制造商打造速度更快的游戲本，并且使其電池續(xù)航時間更長，同時保持現(xiàn)有的PC配置。
三星電子內(nèi)存市場高級副總裁Sewon Chun表示：“三星的32GB DDR4 DRAM模塊將為筆記本電腦帶來前所未有的游戲體驗。我們將繼續(xù)為包括高端筆記本電腦和臺式機在內(nèi)的所有關(guān)鍵細分市場提供最先進的DRAM產(chǎn)品組合，并提高其速度和容量。”
三星表示，配置有兩個32GB DDR4模塊的64GB筆記本電腦在主動模式下功耗不到4.6W，閑置時功耗低于1.4W。與目前領(lǐng)先的配備16GB模塊的游戲本相比，這分別降低了大約39%和超過25%的用電量。
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