全球記憶體市場需求持續(xù)不減，國際大廠紛紛投入擴(kuò)產(chǎn)行動。包括龍頭三星在NAND Flash 方面，宣布中國西安開始第2 期的建設(shè)工程，DRAM 上也有意在南韓平澤（Pyeongtaek）廠大幅生產(chǎn)。而另一家南韓大廠SK 海力士，除了生產(chǎn)NAND Flash 的M15 廠預(yù)期在2019 年正式營運(yùn)之外，在DRAM 部分也斥資86 億美元，將在中國無錫興建第2 期廠房。

　　另外，專注在NAND Flash 產(chǎn)品的東芝，除了Fab 6 廠即將在2019 年?duì)I運(yùn)外，還斥資70 億美元用于興建Fab7 廠，完成后將用于96 層堆疊的3D NAND Flash 生產(chǎn)。美光部分，日前除宣布將在新加坡設(shè)立NAND Flash 的第3 座工廠之外，在DRAM 產(chǎn)品方面，雖然無新擴(kuò)建產(chǎn)能的計(jì)劃，但是預(yù)計(jì)將在臺灣以提高生產(chǎn)效率來拉高位元成長率的方式，提升產(chǎn)能。因此，面對各家國際記憶體大廠的來勢洶洶，中國的記憶體廠投資也開始急起直追，預(yù)計(jì)也將在2019 年加入全球擴(kuò)產(chǎn)戰(zhàn)局。

　　據(jù)TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXchange) 指出，中國記憶體產(chǎn)業(yè)目前以投入NAND Flash 市場的長江存儲、專注于行動式記憶體的合肥長鑫，以及致力于利基型記憶體晉華集成3 大陣營為主。以目前3 家廠商的進(jìn)度來看，其試產(chǎn)時間預(yù)計(jì)將在2018 年下半年，隨著3 大陣營的量產(chǎn)的時間可能皆落在2019 年上半年，揭示著2019 年將成為中國記憶體生產(chǎn)元年。

　　DRAMeXchange 表示，從3 大廠目前布局進(jìn)度來看，合肥長鑫的廠房已于2017 年6 月封頂完工，并且于第3 季開始移入測試用機(jī)臺。合肥長鑫目前進(jìn)度與晉華集成大致雷同，試產(chǎn)時程將會落于2018 年第3 季，量產(chǎn)則暫定在2019 年的上半年，時程較預(yù)期落后。此外，由于合肥長鑫直攻三大DRAM 廠最重要產(chǎn)品之一的LPDDR4 8Gb，爾后面臨專利爭議的可能性也較高，為了避免此一狀況，除了積極累積的專利權(quán)外，初期可能將鎖定于中國銷售。

　　反觀，專注于利基型記憶的晉華集成，在2016 年7 月宣布于福建省晉江市建12 吋廠，投資金額約53 億美元，以目前進(jìn)度來看，其利基型記憶體的試產(chǎn)延后至2018 年第3 季度，量產(chǎn)時程也將落在2019 年上半年。

　　此外，從中國廠商N(yùn)AND Flash 的發(fā)展進(jìn)程來看，2016 年12 月底，由長江存儲主導(dǎo)的國家記憶體基地正式動土，官方預(yù)期分3 階段，共建立3 座3D-NAND Flash 廠房。第一階段廠房已于2017 年9 月完成興建，預(yù)定2018 年第3 季開始移入機(jī)臺，并于第4 季進(jìn)行試產(chǎn)，初期投片不超過1萬片，用于生產(chǎn)32 層3D-NAND Flash 產(chǎn)品，并預(yù)計(jì)于自家64 層技術(shù)成熟后，再視情況擬定第2、3期生產(chǎn)計(jì)劃。

　　DRAMeXchange 指出，觀察中國記憶體廠商的研發(fā)與產(chǎn)出計(jì)劃，2019 年將是中國記憶體產(chǎn)業(yè)的生產(chǎn)元年。但也由于2 家DRAM 廠預(yù)估初期量產(chǎn)規(guī)模并不大，短期難撼動全球市場現(xiàn)有格局。無論是DRAM 或是NAND Flash 產(chǎn)品，各家都是初試啼聲，相較于耕耘多年的既有記憶體大廠所面臨的挑戰(zhàn)更多，因此亦不排除量產(chǎn)時間點(diǎn)也可能比原先預(yù)期延后。

　　長期來看，隨著中國記憶體產(chǎn)品逐步成熟，預(yù)計(jì)2020 年到2021 年，2 家DRAM 廠商現(xiàn)有工廠將逐步滿載，在最樂觀的預(yù)估下，屆時2 家廠商合計(jì)約有每月25 萬片的投片規(guī)模，可能將開始影響全球DRAM 市場的供給。另一方面，長江存儲計(jì)劃設(shè)有的3 座廠房總產(chǎn)能可能高達(dá)每月30 萬片，不排除長江存儲完成64 層產(chǎn)品開發(fā)后，可能將進(jìn)行大規(guī)模的投片，進(jìn)而在未來3 到5年對NAND Flash 的供給產(chǎn)生重大影響。