2018年4月9-10日，國家集成電路產業投資基金總裁、中國寬禁帶功率半導體及應用產業聯盟名譽理事長丁文武先生一行密集調研寬禁帶半導體產業的情況，調研的單位包括基本半導體、英諾賽科。

4月9日首先蒞臨基本半導體考察調研。基本半導體董事長汪之涵博士向丁文武先生介紹了公司自主研發的碳化硅功率器件產品，包括性能達到國際一流水平的碳化硅JBS二極管和MOSFET三極管，以及6英寸的3D碳化硅外延和晶圓片。

基本半導體總經理和巍巍博士介紹了公司的發展情況。基本半導體通過引進由海歸人才和外籍專家組成的高層次創新團隊，對碳化硅器件的材料制備、芯片設計、制造工藝、封裝測試、驅動應用等各方面進行研發，覆蓋產業鏈各個環節，建立了一支國際一流的研發和產業化團隊。基本半導體立志于整合海外創新技術與國內產業資源，打破國外技術壟斷，把基本半導體打造成為行業領軍企業，實現中國在寬木材帶半導體領域的彎道超車。

丁文武對基本半導體的技術創新和戰略定位予以充分肯定，并鼓勵公司團隊再接再厲，立足創新驅動，不斷發展壯大，成為中國寬禁帶a半導體產業的領軍企業。

4月10日來到英諾賽科進行調研座談。英諾賽科董事長駱薇薇博士向丁文武總裁介紹了公司近期投產的“8英寸硅基氮化鎵”生產線，重點介紹了自主研發的硅基氮化鎵增強型功率器件和面向5G通信的射頻器件，隨后參觀了潔凈車間和產品應用展廳。

丁文武表對英諾賽科在8英寸硅基氮化鎵量產線建設、芯片研發和制造等方面取得的進展給予充分肯定，并為英諾賽科這一平臺吸引到眾多國際一流企業的半導體骨干人才感到振奮。希望公司要發揮人才優勢，把握市場先機，同時在生產規模上再上臺階。

寬禁帶半導體具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優點，可以滿足現代電子技術對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求，是半導體材料領域最有前景的材料，市場潛力巨大。

寬禁帶半導體應用最廣的是氮化鎵和碳化硅。碳化硅是開發最早的寬禁帶半導體材料，早在1824年就被發現了，但直到1955年，才有生長高品質碳化硅的方法出現；到了1987年，商業化生產的碳化硅開始進入市場，但直到進入21世紀后，碳化硅的商業應用才算全面鋪開。目前已被證實的碳化硅多形體就超過200種，最常見的碳化硅多型體有立方結構的3C-SiC和六方結構的6H-SiC、4H-SiC。在現今已開發的寬禁帶半導體中，碳化硅是技術發展最成熟的一種。雖然氮化鎵相比碳化硅的發展起步較晚，但是氮化鎵半導體工藝近20年來發展態勢極為迅猛。

目前，寬禁帶半導體已成為高溫器件、節能功率器件、高頻器件、微波器件、抗輻射器件領域應用最廣泛的寬禁帶半導體材料之一。

不過，國內在寬禁帶半導體產業化方面進度還比較緩慢，不過令人欣喜的是，國家層面已經在一定程度上認識到了相關技術對國防軍工、信息技術等產業的價值，不斷投入科研經費，鼓勵相關單位進行技術研究，以求早日實現產業化方面的突破。

相信隨著國外產業高速發展的刺激，加上國內政策方面的支持，國內的寬禁帶半導體產業必將迎來曙光！