全球半導體行業在2017年創下了10年以來的最好成績，年收入比2016年增長了22％，達到4291億美元。

這是根據英國分析公司IHS Markit的新統計數據得出的，HIS認為市場對內存芯片處理能力需求的大幅增加歸因于新興應用如大數據、物聯網和機器學習。

這一需求的增長使得三星電子作為全球領先芯片制造商占據第一位置，領先于競爭對手英特爾，而英特爾已經占據第一的位置有25年之久。2017年，三星的收入增長了54％。

IHS表示，動態隨機存取存儲器芯片的銷售總額增長了77％，而閃存芯片的銷售額增長了47％。隨著全年供應日益緊張，市場也受到明顯影響，隨著需求增加，2017年下半年收入也開始大幅增加。

IHS表示，過去十年中DRAM和閃存的增長率是最高的。需求的增長也推動內存芯片制造商SK Hynix和Micron年增長率達到80%左右，分別在全球排名第三和第四位。

IHS表示，一些半導體制造商的無晶圓廠商業模式（包括將芯片設計出售給第三方代工廠進行生產）也出現了大幅擴張。例如，智能手機芯片制造商高通公司（Qualcomm）去年的增長率為9.5％，盡管與蘋果公司在法律上的糾纏令其盈利受到影響。

Nvidia也首次躋身全球前十大芯片制造商行列。隨著市場對其GPU的促球不斷增長，使得Nvidia收入增長了42％，這些GPU越來越多地用于高性能計算和自動駕駛汽車等機器學習應用中。

不過，IHS警告說，隨著芯片制造商開始生產用于大數據內存處理的3D NAND閃存技術，整個行業可能會再次進行洗牌，例如英特爾為數據中心設計的Xpoint非易失性內存芯片。

IHS內存和存儲部門高級主管Craig Stice表示，目前向3D NAND的轉換機會占到了生產的四分之三，并且將緩解來自SSD和移動市場的強勁需求。“價格預計將開始大幅下降，但2018年NAND市場仍然可能創下歷史新高。”

美光事件影響 DRAM供貨吃緊

根據集邦科技存儲器儲存研究DRAMeXchange調查，以標準型DRAM主流產品4GB DDR4模塊合約價格來看，3月平均價格維持在33美元，高價則為34美元，整體而言，第一季標準型DRAM價格較去年第四季上漲約5％。第二季受到臺灣美光臺中廠（原瑞晶廠）氮氣事件影響，導致DRAM市場供給吃緊的情況延續，預估第二季標準型DRAM合約價至少將再漲約3％，法人看好南亞科將直接受惠。

美光臺中廠3月發生氮氣供應問題，美光執行長Sanjay Mehrotra在法說會中證實此事。Sanjay Mehrotra提到，氮氣供應受阻事件恐將導致美光本季DRAM產出減少2～3％，美光今年全年位元成長率仍可維持年增2成的目標，主要是來自于1X奈米制程微縮。業界預估，此次造成產能減損約3萬片，主要產品線以標準型DDR4及服務器DDR4為主，其中亦包括供給吃緊的繪圖用GDDR。

DRAMeXchange指出，由于現在的標準型DRAM大多以季度合約（quarterly deal）的方式議定，因此每一季度絕大部分的漲價幅度，都集中在當季度的第一個月，今年1月DRAM價格已大致反應第一季調漲幅度，目前觀察3月合約價并未看到顯著變化，約與上個月持平。

此外， 臺灣美光臺中廠于今年3月20日傳出氮氣供應受阻狀況，DRAMeXchange分析，此問題點發生于臺灣美光臺中廠外，主因為氮氣的設備故障導致氣體無法運輸到臺灣美光臺中廠內，故障機臺須送回美國維修，目前機臺已修復并運送回臺，然臺灣美光臺中廠真正完全復工須待至4月初。

DRAMeXchange表示，由于上述臺灣美光臺中廠生產的產品應用別主要為標準型DRAM、服務器DRAM、行動式DRAM（LPDDR4）與繪圖用GDDR。此氮氣事件將對臺灣美光臺中廠3月及4月上旬的產出有一定程度的影響，將使目前DRAM市場供給吃緊的情況延續，預期第二季標準型DRAM合約價將較前一季度至少再上揚3％。對于原本就已供給短缺的繪圖用GDDR市場而言，受到的沖擊恐將更大。

模塊業者指出，標準型及服務器DDR4的缺貨情況嚴重，3月以來電競PC及資料中心需求轉強，如今發生美光臺中廠產出低于預期情況，第二季DD4缺貨問題更為嚴重，以現階段OEM廠及DRAM廠的議價情況來看，第二季合約均價漲幅預期會比市場預估的更多，8GB DDR4模塊預期將上看70美元并創歷史新天價。至于正在全力投產20奈米DDR4的南亞科，將成為最大受惠者，第一季合并營收可望較上季成長近10％幅度，第二季維持相同成長動能。