DRAM、NAND型快閃存儲近來報價走勢超優，科技市調機構IC Insights為此決定將今(2018)年的全球IC市場成長預估值拉高近一倍，從原本的8%一口氣上修至15%。

　　IC Insights 14日發表研究報告指出，今年DRAM均價遠優于預期，估計將較去年跳增36%，延續去年大漲81%的上升走勢，而去年均價跳漲45%的NAND，今年報價也有望續增10%。相較之下，DRAM、NAND今年的位元出貨量成長率則只將達到1%、6%。

　　基于上述預測，IC Insights認為，今年DRAM的全球市場規模有望成長37%，遠優于先前估計的13%，而NAND則將成長17%、也高于先前估計的10%。

　　報告稱，2018年DRAM市場的整體規模預料會達到996億美元，比NAND的621億美元大幅超出375億美元，成為IC業界規模最大的產品類別。從該機構制作的圖表可以看出(見左圖)，過去五年來，DRAM已成為左右全球IC成長的關鍵因素。

　　美國存儲大廠美光(Micron Technology)受惠DRAM報價看俏、NAND型快閃存儲毛利增加，去年股價狂飆87.57%后，今年以來又續漲45.38%。

　　barron`s.com、CNBC、路透社等外電報導，Nomura Instinet分析師Romit Shah 3月12日發表研究報告指出，年初以來，存儲報價僅下滑3%，跌幅遠不如過去三年的Q1平均跌幅(10~20%)，預估未來六個月報價有望上揚10%。研究顯示，供應商應該會在Q2、Q3開始漲價，跟市場原本預測的「未來四季報價每季會跌5-6%」大相徑庭。

　　Shah認為，美光股價順利突破3-4個月的盤整期，目前正處于另一波大漲行情的初始階段。他提出了幾項對美光有利的因素，當中包括DRAM報價有望自第2季起恢復揚升走勢、公司將在5月首度宣布股利發放和庫藏股計劃、NAND的毛利率持續擴張，以及有關整并的討論增多等。

　　DRAM缺貨一整年價格逐季漲

　　全球最大存儲廠韓國三星電子正在進行半導體產能大挪移，以提升產能運用效率，三星雖然決定在韓國華城Line 17及平澤Line 18擴大先進制程DRAM產能，但三星同時卻將華城Line 11及Line 13的舊制程DRAM產能，移轉生產CMOS影像感測器，有意擠下日本索尼、搶占CMOS影像感測器龍頭寶座。

　　業界認為，三星在增加DRAM新制程產能之際，同時縮減舊制程產能，總投片量今年及明年都不會增加太多，只利用制程轉換至1y/1z納米來提高位元出貨成長率。由此來看，DRAM市場今年恐將缺貨一整年，價格逐季調漲已無可避免。

　　業界指出，今年總投片量增加幅度十分有限，DRAM價格3月見到明顯漲勢，季度漲幅可望上看5～10％，優于先前預期的5％，第二季價格可望再續漲5～10％。法人看好南亞科（2408）、華邦電（2344）、威剛（3260）將直接受惠。

　　根據韓國外電報導，韓系存儲廠三星以及SK海力士已調漲第一季DRAM報價，漲幅約達5～10％，包括標準型、伺服器、利基型、行動式等DRAM價格都全面上漲。

　　第一季是傳統淡季，DRAM價格在淡季調漲，代表市場供不應求情況未獲紓解，其中又以伺服器DRAM缺貨最為嚴重。

　　業界人士透露，資料中心需求強勁，搭載的伺服器DRAM價格比智慧型手機采用的行動式DRAM高出2成，所以三大DRAM廠上半年產能都移轉到伺服器DRAM。標準型PC DRAM則在英特爾、超微的新平臺推出后，帶動需要搭載8GB以上高容量DRAM的電競PC熱賣，PC DRAM需求強勁且價格持續上漲，目前價格幾乎是去年同期的2倍。

　　為解決DRAM缺貨問題，龍頭大廠三星已宣布擴產計畫。三星將利用位于韓國平澤Line 18的2樓空間擴增DRAM產能，設備已完成裝機并準備啟動生產，華城Line 17的部份產線也由NAND Flash轉為生產DRAM，下半年將啟動生產。三星的擴產計畫一度讓市場擔憂DRAM市場好日子是不是快過去了，但事實上，三星卻同時縮減舊制程DRAM產能。

　　外電報導指出，三星已將原本用來生產DRAM的華城Line 11舊制程生產線，在去年底改為生產CMOS影像感測器，預計今年底改裝完畢，隨后華城Line 13舊制程DRAM生產線也會跟著移轉成為CMOS影像感測器生產線。而值得注意之處，在于三星的CMOS影像感測器將用來投產堆疊DRAM及類比邏輯芯片的三層（3-layer stacked）影像感測器。