韓聯(lián)社周三報(bào)道，三星電子有限公司已經(jīng)決定開(kāi)始在韓國(guó)的平澤生產(chǎn)基地建設(shè)第二條內(nèi)存芯片生產(chǎn)線。
芯片制造商正在大力投資，以滿足對(duì)半導(dǎo)體的旺盛需求。三星去年表示，計(jì)劃到2021年在平澤新的NAND芯片工廠投資14．4萬(wàn)億韓元。
三星拒絕對(duì)韓聯(lián)社報(bào)告發(fā)表評(píng)論。
三星在平澤的第一條半導(dǎo)體生產(chǎn)線去年7月開(kāi)始批量生產(chǎn)。
三星證券（Samsung Securities）分析師Lee Jong－wook周三在一份報(bào)告中寫(xiě)道：“在今年對(duì)平澤線第一線的投資計(jì)劃已經(jīng)結(jié)束后，其運(yùn)營(yíng)能力將超過(guò)70％。”
1月下旬，三星以所謂的內(nèi)存芯片“超級(jí)周期”驅(qū)動(dòng)的年度利潤(rùn)創(chuàng)歷史新高，并預(yù)計(jì)2018年半導(dǎo)體需求將保持強(qiáng)勁，尤其是服務(wù)器芯片。
在此公告前，三星電子副主席李在镕周一在一個(gè)小組委員會(huì)因包括賄賂和貪污罪指控而被判緩刑，并當(dāng)庭釋放。
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