IGBT是能源轉換與傳輸的核心器件，采用IGBT進行功率變換，能夠提高用電效率和質量，具有高效節能和綠色環保的特點。目前，傳統IGBT市場已經被歐美、日本國際巨頭占據，而新能源汽車的出現，對國產IGBT的崛起具有特殊的意義。

有數據顯示，2016年全球電動車銷量達到200萬輛，共消耗了大約9億美元的IGBT管，平均每輛車大約消耗450美元，是電動車里除電池外最昂貴的部件。其中，混合動力和PHEV大約77萬輛，每輛車需要大約300美元的IGBT，純電動車大約123萬輛，平均每輛車使用540美元的IGBT，而大功率的純電公交車用的IGBT可能超過1000美元。

杭州士蘭微電子器件產品產品線總經理張科鋒認為，新能源汽車的出現和快速發展，給了國內相關企業與國際車企同臺競爭的機會，而且因為中國政府的特別支持，在某些政策和資源方面，國內車企更具競爭優勢，新的政策規定2018年起本地品牌的新能源汽車出貨比重需達到兩位數，且要求逐年增長，這就給國產IGBT創造了非常好的機遇。

華虹宏力集成一部研發總監楊繼業同樣認為，新能源汽車既是節能環保的迫切需求，也是我國汽車產業轉型升級的一個突破口。IGBT作為新能源汽車動力、電源系統中的核心器件，將隨之迎來絕佳的發展機遇。第三方調研機構數據顯示，純電動汽車(EV)半導體元器件用量達到673美元，相較傳統汽車半導體用量的297美元增加了127%，其中大部分新增用量是功率器件。

據楊繼業介紹，國務院在發布的《節能與新能源汽車產業發展規劃》中提出，至2020年，我國純電動汽車和插電式混合動力汽車年生產能力將達200萬輛，等效為8英寸IGBT晶圓年需求100萬片。受惠于新能源汽車及其配套設施發展，預計到2020年，中國IGBT銷售額將達近200億元。可見，新能源汽車帶給國產IGBT的發展機遇不言而喻。不過，目前國產IGBT產業鏈的搭建還不夠完善，與國際巨頭的技術差距仍較大。

楊繼業告訴記者，我國功率半導體與國外IDM廠商相比在設備投入上還有待加強，在器件設計、工藝技術方面仍有差距，供應鏈也不夠完善。究其原因，一是作為后進者，國內IGBT缺乏時間考驗來建立品牌效應;二是IGBT國產化的進程開始得相對較晚，而且當時，市場應用前景還不太明朗，終端應用方案商對于推動IGBT技術國產化的意愿并不強，一直以來就只有少數幾家國外老牌的專業IGBT廠商占據著這一市場。從制造水平來看，華虹宏力場截止型IGBT(Field Stop，FS IGBT)技術參數可比肩國際領先企業，但想要全面提升國產IGBT實力，還需要上下游產業鏈企業的全面參與和共同努力。

“國內IGBT在設備、材料、芯片設計和晶圓制造上與國際大廠仍有一定的差距，國產IGBT芯片的主要工藝設備、襯底片都還要從國外采購，特別是在大功率模塊封裝方面，在產品的功率密度、散熱性能、長期可靠性以及模塊設計創新方面，技術差距仍然較大。不過，在后道封測環節，因國內封測廠有給國際大廠代工的經驗，后道技術差距正逐漸縮小。”有受訪人表示。

記者獲悉，IGBT產品最具競爭力的生產線是8英寸和12英寸，目前國際最為領先的是英飛凌，已在12英寸生產線量產IGBT產品; 目前國內8寸線實現IGBT產品量產的是株洲中車和上海華虹宏力，而士蘭微電子在剛剛建成的8英寸生產線上投資上億元，購買了IGBT產品工藝專業研發的高能離子注入設備，激光退火設備和薄片Taiko設備，預計在未來的3-5年內，會大力發展和提高IGBT產品的設計和工藝研發水平。

2017年12月18日，杭州士蘭微電子與廈門半導體投資集團簽署投資合作協議，擬在廈門市海滄區建設兩條以MEMS、功率器件為主要產品的12英寸集成電路制造生產線，預計在2-3年內建成投產，這將促進IGBT產品工藝和技術的不斷提升。

除了技術差距，IGBT核心專利和高端人才也幾乎被英飛凌、三菱等國際廠商絕對壟斷。張科鋒表示，IGBT產品的高端工藝研發和高端產品設計人員非常少，國內已量產的芯片廠家，其技術研發人員都是通過多年的試驗摸索、不斷學習總結成長起來的。要改善高端人才缺乏的現狀有兩點：一是從高校和IGBT的企業出發，多投入和培養相關人員，要能耐得住磨練;還有一條捷徑，是利用高薪或利好政策引進國際巨頭的高端技術人才，或引進和收購他們的企業團隊。對于技術專利，一方面要依托自身的工藝生產設備，根據應用實踐的要求，有一些工藝和設計技術的創新;另一方面是購買國外IGBT設計和制造技術的專利，但這個很難且費用昂貴。

在記者看來，國產IGBT發展起步晚、終端推動乏力、人才缺乏以及品牌效應淡薄等共同導致了國內與國際廠商的差距。不過近幾年，隨著利好政策的推動和新能源汽車、高鐵、風力發電等新興應用市場的崛起，國產IGBT即將得到快速發展的“春天”已經到來。