2017年10月20日 – 專注于新產(chǎn)品引入 (NPI) 并提供極豐富產(chǎn)品類型的業(yè)界頂級(jí)半導(dǎo)體和電子元件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics)，即日起開始備貨NXP Semiconductors的MRFX1K80H LDMOS 晶體管。MRFX1K80H 是MRFX系列射頻 (RF) MOSFET晶體管，此系列器件采用了最新的LDMOS（橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體）技術(shù)。MRFX1K80H運(yùn)用LDMOS技術(shù)來提高寬頻應(yīng)用的輸出功率，同時(shí)維持適當(dāng)?shù)妮敵鲎杩埂?/p>

　　貿(mào)澤備貨的NXP MRFX1K80H LDMOS晶體管能在65V連續(xù)波時(shí)提供1800W功率，適用于1.8至470 MHz的射頻應(yīng)用，并且能在所有相角下提供65:1的電壓駐波比 (VSWR)。此器件提供50Ω匹配阻抗，可縮短整體開發(fā)時(shí)間。MRFX1K80H 設(shè)計(jì)用于30V到65V擴(kuò)展級(jí)電源范圍，并具備高擊穿電壓特性，能增強(qiáng)可靠性，提升效率。這種耐高壓特性還可降低系統(tǒng)電流，從而限制直流電源上的應(yīng)力并減少磁輻射。高輸出功率還能減少晶體管數(shù)，簡(jiǎn)化功率放大器復(fù)雜度，并降低整體成本。

　　MRFX1K80H適用于具有適當(dāng)偏置的線性應(yīng)用，并提供集成靜電放電 (ESD) 防護(hù)，改善C類放大器運(yùn)行性能。MRFX1K80H的目標(biāo)應(yīng)用包括工業(yè)、科學(xué)與醫(yī)療 (ISM) 應(yīng)用以及廣播、航空航天與移動(dòng)無線電設(shè)備。

　　貿(mào)澤電子/ NXP MRFX1K80H射頻功率LDMOS晶體管

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