答：1.場效應管是單極、三極管是雙極區別.
2.解決問題方面: 場效應管是電壓控制電流源,控制電壓和電流屬于不同的支路,因而電壓的求解一般不難,進而根據漏極電流表達式來求出電流值,然后進行模型分析,求出跨導和輸出電阻. 而三極管要先建立模型,然后進行電路分析,求解過程特別是計算很復雜,容易出錯; 總體而言,我覺得場效應管的分析要比三極管簡單一些.
3.三極管和場效應管的比較可以歸納以下幾點: 一、在三極管中,空穴和自由電子都參與導電,稱為雙極型器件,用BJT表示;而場效應管只有多子導電,稱為單極型器件,用FET表示.由于多子濃度不受外界溫度、光照、輻射的影響,在環境變化劇烈的條件下,選用FET比較合適. 這也就是我們通常所說的場效應管比較穩定的原因. 二、在放大狀態工作時,三極管發射結正偏,有基極電流,為電流控制器件,相應的輸入電阻較小,約103Ω;FET在放大狀態工作時無柵極電流,為電壓控制器件,輸入電阻很大,JFET的輸入電阻大于107Ω,MOS管的輸入電阻大于109Ω. 三、場效應管的源極和漏極在結構上對稱,可以互換使用(但應注意,有時廠家已將MOS管的源極與襯底在管內已經短接,使用時就不能互換).對耗盡型MOS管的VGS可正、可負、可為零,使用時比較靈活.三極管的集電極和發射極一般不能互換使用. 四、在低電壓小電流狀態下工作時,FET可作為壓控可變線性電阻器和導通電阻很小的無觸點電子開關. 五、MOS管工藝簡單,功耗小,適合于大規模集成.三極管的增益高,非線性失真小,性能穩定.在分立元件電路和中、小規模集成電路中,三極管仍占優勢. 六、三極管的轉移特性(ic-vbe的關系)按指數規律變化,場效應管的轉移特性按平方規律變化,因此場效應管的非線性失真比三極管的非線性失真大.七、場效應管的三種基本組態電路(共源、共漏和共柵)可以對照三極管的共發、共集和共基電路,由于場效應管的柵極無電流,所以輸入電阻R'i≈∞.跨導gm比三極管的小一個數量級,gm我們可以用轉移特性求導得到
4.三極管可以說是電流控制電流源的器件,而電流是通過輸入電阻的大小來體現的;但場效應管是電壓控制電流源的器件
5.記住四種mos管的特性曲線的方法:只需記住n溝道的emos管的曲線,它的Vgs是大于0的,且曲線呈遞增趨勢．而p溝道的emos的Vgs是小于0的,且呈現遞減趨勢．dmos的Vgs既有大于0的部分,又有小于0的部分,按照n溝道遞增,p溝道遞減的曲線特征就可以將dmos的特性曲線記住了 6.1)場效應管是電壓控制元件,而三級管是電流控制元件; 2)場效應管是利用多數載流子導電,所以稱為單極性器件,而三級管既有多子,也有少子導電,稱之為雙極性器件; 3)場效應管靈活性比三級管好; 4)場效應管的制造工藝更適合于集成電路
2．mos管用途？
現有的很多小信號放大電路都是由晶體管或MOS管的放大電路構成，其功率有限，不能把電路的功率做得很大。隨著現代逆變技術的逐步成熟，尤其是SPWM逆變技術，使信號波形能夠很好地在輸出端重現，并且可以做到高電壓，大電流，大功率。SPWM技術的實現方法有兩種，一種是采用模擬集成電路完成正弦調制波與三角波載波的比較，產生SPWM信號；另一種是采用數字方法。隨著應用的深入和集成技術的發展，已商品化的專用集成電路（ASIC）和專用單片機（8X196/MC/MD/MH）以及DSP，可以使控制電路結構簡化，集成度高。由于數字芯片一般價格比較高，所以在此采用模擬集成電路。主電路采用全橋逆變結構，SPWM波的產生采用UC3637雙PWM控制芯片，并采用美國IR公司推出的高壓浮動驅動集成模塊IR2110，從而減小了裝置的體積，降低了成本，提高了系統的可靠性。經本電路放大后，信號可達3kV，并保持了良好的輸出波形。