在DRAM供貨吃緊的情況下，其再次出現價格瘋漲現象。據業者估計，2017年DRAM整體價格漲幅將高達39%，在智能手機存儲器容量提升以及服務器需求的驅動下，明年將出現持續增長現象。

據市場調查數據顯示，2016年第四季度DRAM供不應求，帶動2017年第一季度上漲30%以上。以DRAM市場整體走向來看，今年第三季度平均漲幅約7%，未來第四季度漲幅約5%-10%，雖然漲幅依舊，但是至2018年，漲幅會逐漸趨于平穩，相比2017年，漲幅不會太大。

DRAM連續一年漲幅的主要原因為以下幾點，其一，近年來，小米、華為以及OPPO等國產手機開始走中高端路線。其二，數據中心的服務器對于DRAM需求加強。其三，DRAM產業制程接近極限，技術研發難度增加，導致供貨短缺。

至于NAND Flash走勢情況，據業者分析，在今年第四季度蘋果需求的沖擊下，其缺口會逐漸擴大，但是除蘋果外，其余手機廠商對于NAND Flash并沒有需求，所以其整體相對于第三季度會處于平衡狀態。明年第一季度為傳統淡季，整體價格可能會不升反降。

在芯片市場的沖擊下，三星電子、美光科技以及SK海力士等三大巨頭直接霸占了90%以上的市場份額，強勢控制價格增長的比率。至于國內外其余芯片企業，則“分羹”較少，處于緊追猛趕的狀態，但整體來看，國內外市場短期內也是呈現欣欣向榮之景。

三星的布局

在經歷Galaxy Note 7手機爆炸的影響后，三星對于產品質量以及生產過程有了嚴格的把控，借助于DRAM市場漲勢，三星漸漸“恢復元氣”。作為全球最大的DRAM芯片制造商，三星無疑是這場漲勢中最大的受益者，據第二季業績展望報告顯示，其營業利潤再創新高，同比增長約72%，預計未來第三季度將持續增長。

據了解，蘋果、OPPO、三星以及Vivo已經承包了三星DRAM近70%的產量，而三星由于3D NAND Flash制程良率以及相關印刷電路板材料短缺的問題，使得DRAM供應短缺更加嚴重。

對于新技術研發方面，三星似乎早有布局。據消息稱，三星目前正在研發17nmDRAM,預計明年將進入量產階段。同時，三星也展開了16nmDRAM的研發，不過最快量產時間也將在2020年，畢竟隨著制程技術提升，后面的研發難度會越來越大。而且三星預測15nm將接近DRAM的物理極限，未來將很長時間開發新材質，提升制程穩定性以便于縮小線寬。

以目前市場來看，Galaxy Note 8的預定量再創歷史新高，而且iPhone X所搭載的OLED屏幕均來自于三星，故三星第三季度的營收數據肯定不會太差，據消息透漏，三星將于月底公布營收的詳細結果。

美光建設新廠 研發全新技術

此前，美光科技DRAM大廠臺灣桃園廠區由于氮氣泄露的原因，造成5000至1萬片的晶圓直接報廢，4萬片晶圓則被視為次級品或者報廢品。好在公司迅速解決并恢復正常生產運作，對于其之后的產能并沒有太大的影響。

8月14日，美光在總部舉辦活動慶祝新廠建設成功。據悉，這個工廠主要用于美光研發全新內存以及存儲技術，美光技術開發執行副總裁ScottDeBoer表示，美光的主要DRAM技術研發中心已經轉入其日本廣島的制造工廠，未來將加快3D NAND以及DRAM全新技術的研發。

受惠于DRAM市場的漲潮，美光預計2017年會計年度第四季營收同比增長91%，高達61.38億美元，且對于2017年底營收的展望遠超市場預期，預估為63億美元左右。美光執行長SanjayMehrotra表示，美光1X納米DRAM以及64層3D NAND的良率將于今年年底達到穩定階段，從產業目前情況來看，今年年底前，DRAM以及NAND Flash都將供不應求。

SK海力士強勢出擊

對于內存與存儲器市場，SK海力士則表現的極為“豪氣”，直接出資86.1億美元進行3D NAND Flash以及DRAM擴產，似乎是市場趨勢一片大好的原因，SK海力士將兩廠擴產竣工的時間直接縮短至明年第四季度。

據了解，此次SK海力士擴產主要用于技術升級，產能至多提升3%-5%，相對于美光來說，這更像是一場新技術研發速度的比賽，畢竟美光剛建設新廠不久，兩者建設新廠的目的似乎不謀而合。

在產品研發上，SK海力士于2017年年初推出全球高容量低功耗的DRAM–LPDDR4X芯片，并于4月再次推出AI、VR以及自動駕駛等顯示器專用的超高繪圖存儲器DRAM–Graphics DDR6。

在NAND Flash 產品方面，美光成功開發出72層堆疊芯片，相比于上一代48層堆疊芯片，其運行速度提升2倍，讀寫性能提升了20%，生產效能也增長了30%，目前已經開始量產。

總結：

在NAND Flash以及DRAM市場漲潮不斷的情況下，三星電子、美光科技以及SK海力士等三大巨頭并未滿足于現狀，而是不斷研發全新產品。在這場角逐中，或許他們三者都是贏家。