MOS管介紹
在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，一般都要考慮MOS的導通電阻，最大電壓等，最大電流等因素。
MOSFET管是FET的一種，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，一般主要應用的為增強型的NMOS管和增強型的PMOS管，所以通常提到的就是這兩種。
這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小且容易制造。所以開關電源和馬達驅動的應用中，一般都用NMOS。
在MOS管內部，漏極和源極之間會寄生一個二極管。這個叫體二極管，在驅動感性負載(如馬達)，這個二極管很重要，并且只在單個的MOS管中存在此二極管，在集成電路芯片內部通常是沒有的。
MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由于制造工藝限制產生的。寄生電容的存在使得在設計或選擇驅動電路的時候要麻煩一些，但沒有辦法避免。
MOS管導通特性
導通的意思是作為開關，相當于開關閉合。
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導通，適合用于源極接地時的情況(低端驅動)，只要柵極電壓達到一定電壓（如4V或10V, 其他電壓，看手冊）就可以了。
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會導通，適合用于源極接VCC時的情況(高端驅動)。但是，雖然PMOS可以很方便地用作高端驅動，但由于導通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在高端驅動中，通常還是使用NMOS。
MOS開關管損失
不管是NMOS還是PMOS，導通后都有導通電阻存在，因而在DS間流過電流的同時，兩端還會有電壓，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的MOS管會減小導通損耗。現在的小功率MOS管導通電阻一般在幾毫歐，幾十毫歐左右
MOS在導通和截止的時候，一定不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個下降的過程，流過的電流有一個上升的過程，在這段時間內，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，叫做開關損失。通常開關損失比導通損失大得多，而且開關頻率越快，導通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的損失也就很大。降低開關時間，可以減小每次導通時的損失；降低開關頻率，可以減小單位時間內的開關次數。這兩種辦法都可以減小開關損失。
MOS管驅動
MOS管導通不需要電流，只要GS電壓高于一定的值，就可以了。但是，我們還需要速度。
在MOS管的結構中可以看到，在GS，GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅動，實際上就是對電容的充放電。對電容的充電需要一個電流，因為對電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會比較大。選擇/設計MOS管驅動時第一要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。
普遍用于高端驅動的NMOS，導通時需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅動的MOS管導通時源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時柵極電壓要比VCC大(4V或10V其他電壓，看手冊)。如果在同一個系統里，要得到比VCC大的電壓，就要專門的升壓電路了。很多馬達驅動器都集成了電荷泵，要注意的是應該選擇合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅動MOS管。
Mosfet參數含義說明
Features:
Vds： DS擊穿電壓.當Vgs=0V時，MOS的DS所能承受的最大電壓
Rds(on)：DS的導通電阻.當Vgs=10V時，MOS的DS之間的電阻
Id： 最大DS電流.會隨溫度的升高而降低
Vgs: 最大GS電壓.一般為：-20V~+20V
Idm: 最大脈沖DS電流.會隨溫度的升高而降低，體現一個抗沖擊能力，跟脈沖時間也有關系
Pd: 最大耗散功率
Tj: 最大工作結溫，通常為150度和175度
Tstg: 最大存儲溫度
Iar: 雪崩電流
Ear: 重復雪崩擊穿能量
Eas: 單次脈沖雪崩擊穿能量
BVdss： DS擊穿電壓
Idss: 飽和DS電流，uA級的電流
Igss: GS驅動電流，nA級的電流.
gfs: 跨導
Qg: G總充電電量
Qgs: GS充電電量
Qgd: GD充電電量
Td(on): 導通延遲時間，從有輸入電壓上升到10%開始到Vds下降到其幅值90%的時間
Tr: 上升時間，輸出電壓 VDS 從 90% 下降到其幅值 10% 的時間
Td(off): 關斷延遲時間，輸入電壓下降到 90% 開始到 VDS 上升到其關斷電壓時 10% 的時間
Tf: 下降時間，輸出電壓 VDS 從 10% 上升到其幅值 90% 的時間 ( 參考圖 4) 。
Ciss: 輸入電容，Ciss=Cgd + Cgs.
Coss: 輸出電容，Coss=Cds +Cgd.
Crss: 反向傳輸電容，Crss=Cgc.