從2016年第二季度開始，以SSD固態硬盤為代表，包括固態硬盤、內存條、優盤甚至閃存卡在內的整個內存行業，開始緩慢漲價。進入2017年后，漲價的勢頭并沒有停止，整個存儲行業反而掀起了新一輪的大幅漲價潮。
2015年~2016年上半年，120G/240G的SSD價格一度降至299元/399元，而512G的SSD也有不少低至599元。不過，好景不長，自2016年下半年開始，SSD的價格出現全面上調，漲幅超過市場預期。
近日，《每日經濟新聞》記者通過線下走訪十多家銷售商家以及采訪業內人士了解到，固態硬盤等存儲產品大幅漲價的原因是供需失衡。但也有部分業內人士認為，此輪漲價背后并非完全由市場供需決定，也不排除部分NAND Flash供應商有意為之的可能。
供應端：主要廠商暫無增產計劃
從供應端看，目前全球范圍內從事NAND閃存顆粒的廠商有很多，但能夠有市場定價能力的只有六家，他們分別是三星（Samsung）、東芝（Toshiba）、英特爾（Intel）、海力士（SKhynix）、美光（Micron）和閃迪（SanDisk），這些企業很多在中國有生產企業，幾乎壟斷了全球大部分閃存市場。
從行業看，今年三星、東芝、美光、海力士等主要的內存大廠都沒有增產計劃，而是進行制程轉換，目的是將主要產能從2D NAND制程轉向生產3D NAND。2017年，三星新工廠Fab 17和Fab 18都將投入V-NAND生產，3D技術也將向64層提升。
中國閃存市場China Flash Market預計三星V-NAND生產比重在2017年一季度可達到45%，二季度將達到50%以上，在3D NAND爆發元年將有很大的市場競爭優勢。
英特爾在2016年第三季度開始試產32層3D NAND，預計2017年中期轉至64層量產；而2016年美光32層3D NAND MLC版本單Die容量32GB，TLC版本容量48GB，是目前除原廠品牌之外，市場3D SSD的主要貨源之一，在3D NAND技術上，美光選擇了跨過48層NAND閃存，計劃在2017年直接量產64層 NAND顆粒；海力士自然也不例外，2017年海力士計劃提升至72層3D NAND量產，公司將在一季度推出樣品，并于二季度開始小批量生產，從堆疊層數來看，已經趕上甚至反超競爭對手。
雖然各個廠商都力圖提高制程，但在切換的過程中，3D NAND量產嚴重不足，良率過低，而2D NAND產能也在下滑，這種局面造成全年內存都面臨缺貨的狀況，供不應求也導致內存價格一路飆升。
行業咨詢機構DRAM eXchange的數據顯示，NAND閃存在2017年一季度供貨依然緊張，NAND閃存芯片的平均價格在一季度上漲了20%~25%
長城證券在6月初的《電子元器件》周報的標題就是，“NAND閃存顆粒依舊供求，全球范圍閃存價格持續上漲 ”。該周報認為，“要等到所有的閃存原廠在3D制程上實現了完全突破，良率獲得大幅提升，幾大原廠能夠在同樣的技術和成本體系下進行競爭，當前存儲產品漲價情形可能會得到緩解。通過我們從市場了解到的情況來看，大部分閃存原廠都是在2017年開始量產基于最新堆疊層數的3D NAND技術產品，量產的產品經過最終封裝和分發到存儲廠商手中，然后經由存儲廠商進行產品方案的選擇和最終推出到市場，可能還會經歷一段時間。因此當前的漲價趨勢可能還會持續半年以上。”
需求端：智能手機和服務器需求大增
在需求端，對于存儲產品的需求越來越大，包括中國企業大量切入的智能手機市場、無人機市場，以及服務器市場。
首先是智能手機等數碼產品容量的提升。目前，智能手機、筆記本、平板電腦等設備一直向大容量邁進，蘋果、三星、華為、OPPO、VIVO等品牌的手機出貨量都在千萬級別，也加劇了閃存顆粒的稀缺。
二是由于目前固態硬盤技術越來越成熟、穩定，固態硬盤開始大規模應用在服務器市場。事實上，在傳統的存儲行業，一直存在著消費級市場和服務器級市場。一般來說，新興的存儲技術在消費級存儲市場得到了充分驗證，保證技術上的穩定后，服務器級市場便會開始大規模應用。
在固態硬盤技術處于2D NAND時代，服務器級市場幾乎很少使用固態硬盤作為存儲介質，但隨著3D NAND Flash從無到有、從32層向64層堆疊，越來越多的服務器級市場開始進行產品的更新換代。而此前，Intel官方還在公開場合宣布，隨著3D Xpoint的成熟，Intel將在2017年優先生產高速增長的數據中心應用的固態硬盤，而不是低成本的消費級固態硬盤。
三是新的應用需求出現，包括物聯網、云計算、智能家庭和智能建筑，以及自駕車、無人機和機器人等新應用的流行，NOR Flash（非易失閃存技術）作為儲存驅動程序碼的儲存裝置被大量應用。但在擴產有限，需求不減反增的情況下，價格勢必持續上揚。
日韓供應商‘默契’漲價？
雖然市場方面認為內存大幅上漲的原因無非就是供需失衡，但也有部分業內人士對記者表示，此輪漲價背后并非完全由市場供需決定，也不排除部分NAND Flash供應商有意為之的可能——“很難說這是不是部分日韓供應商‘默契’的漲價行為。”
自去年下半年三星發生了Galaxy Note 7“爆炸門”事件以及實際掌門人受到腐敗指控后，唱衰三星的聲音不絕于耳。在外界看來，這些事件將導致三星的利潤出現大幅下滑，但結果卻出人意料。
4月27日，三星公布了2017第一季度的財報，公司取得50.55萬億韓元收入，同比增長1.5%；營業利潤9.90萬億韓元，同比增長48.2%；而凈利潤為7.68萬億韓元，同比大漲46.3%。
事實上，三星今年首季度利潤大增得益于三星半導體業務的貢獻，其半導體部門營業利潤為6.31萬億韓元，同比大增139.9%；設備解決方案部門營業利潤為7.59萬億韓元，同比暴漲225.8%，但IT和移動通信部門的營業利潤僅為1.07萬億韓元，銳減46.8%。
一些分析師認為，2017年的內存供應將會持續緊張，隨著NAND、DRAM的繼續漲價，三星的利潤還將被推高。來自韓國IBK的分析師 Lee Seung-woo曾表示，三星今年第二季度的運營利潤可達12.1萬億韓元，折合110億美元。
可以說，半導體業務將為三星今年的業績立下“汗馬功勞”，正因如此，三星也在積極鞏固其在NAND Flash市場的競爭優勢。三星電子于6月15日宣布已經開始大量生產64層256Gb V- NAND，被稱為第四代VNAND。三星目前V-NAND占整體NAND Flash產能的70%以上，隨著64層V-NAND（3D垂直閃存）進入量產，V-NAND產能比重將更高，并不斷擴大在服務器、PC和移動設備等領域的應用。
針對外界認為部分日韓供應商“默契”漲價的觀點，《每日經濟新聞》記者聯系了三星方面，不過截至發稿，尚未獲得回應。
上述三星固態硬盤旗艦店的門店負責人表示，三星Fab 18工廠已經在6月份投入生產64層V-NAND，三星還計劃基于64層V-NAND在第三季度推出UFS3.0新品，以及推出M.2和2.5英寸規格形態的SSD產品。與48層256Gb V-NAND相比，新的64層256Gb V-NAND將提高30%以上的生產效率。此外，64層V-NAND是2.5V輸入電壓，與使用48層VNAND的3.3V相比，能量效率提高了約30%。
產業觀察家洪仕斌認為，閃存顆粒的核心優勢并不掌握在中國企業手中，而國際大廠的壟斷也會導致“坐地起價”。其中，三星必須在核心部件中找出盈利空間來彌補其在智能手機、彩電等領域的營收下滑。