《電子技術應用》
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傳三星缺乏10nm以下封測技術 擬將次世代Exynos芯片后端制程外包

2017-06-09

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芯片制成微縮至 10 納米以下,據(jù)傳三星電子缺乏相關封測技術,考慮把次世代 Exynos 芯片的后端制程外包。若真是如此,將提高三星晶圓代工成本。

韓媒 etnews 8 日報導,業(yè)界消息透露,最近三星系統(tǒng) LSI 部門找上美國和中國的 OSAT(委外半導體封裝測試業(yè)者),請他們開發(fā) 7、8 納米的封裝技術。據(jù)傳美廠手上高通訂單忙不完,未立即回覆。陸廠則表達了接單意愿。

倘若三星真的把封測制程外包,將是該公司開始生產(chǎn) Exynos 芯片以來首例。三星仍在考慮要自行研發(fā)或外包,預料在本月或下個月做出最后決定。

10 納米以下的芯片封裝不能采取傳統(tǒng)的加熱回焊(reflow),必須改用熱壓法(thermo compression),三星沒有熱壓法封裝的經(jīng)驗,也缺乏設備,外包廠則有相關技術。有鑒于 10 納米以下芯片生產(chǎn)在即,迫于時間壓力,可能會選擇外包。相關人士表示,要是三星決定外包,會提高生產(chǎn)成本,不利三星。


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