半導體市場研究企業IC Insights最新發布統計，今年資本支出超過10億美元半導體廠家預料將增至15家，創下近十年以來新高點。其中，大陸晶圓代工廠中芯國際排名第六，預料隨著愈來愈多大陸晶圓廠蓋廠與擴產需求，這份名單可望愈來愈多大陸晶圓廠上榜。

根據最新IC Insights報告，除了德國英飛凌科技與日本瑞薩電子公司之外，歐洲芯片制造商STMicroelectronics 與臺灣地區南亞科都進入“十億美元資本支出”名單。

時隔五年之后，英飛凌有望再次進入十億美元俱樂部，瑞薩也是十多年來首次資本支出達到10億美元線，看好汽車半導體從而加大投資是這兩家進入資本支出排行榜前列的主要原因。

去年，只有11家芯片廠商在資本支出方面投入超過10億美元。而在2013年，這一數字則僅為8家。

按照IC Insights最新預測，2017年也將是資本支出超過10億美元之廠商數量最多的一年，2007年全球金融危機爆發，當年共出現16家超過10億美元資本支出的廠家。

根據IC Insights統計，今年入圍資本支出10億美元俱樂部的這15家企業將占2017年全球半導體行業資本支出總額的83%，這也是近十年以來最高的占比水平。

IC Insights表示，這15家公司當中，有一部分可能傾向于從明年開始逐步下調資本支出額度。IC Insights稱，盡管三星、英特爾、臺積電、SK海力士、美光、中芯、聯電、GlobalFoundries及東芝等九大全球性巨頭一直保持著極高的資本支出額度，但其它幾家新進的廠商恐怕只會在少數年份內投入超過10億美元的支出。

IC Insights表示，“南亞科技目前受益于DRAM市場需求的激增，而一旦市場趨于疲軟，其資本支出將快速下滑至10億美元以下。而STMicroelectronics已經明確表示，今年的支出屬于特殊情況。英飛凌、索尼與瑞薩這些資本支出略超過10億美元的廠商將在未來一到兩年內回歸至這條標線以下。”

DRAM晶圓廠 進入資本擴充新階段

英特爾、三星、格芯（GlobalFoundries）和海力士（SK Hynix）四家資本支出計劃增長最多。相比2016年，三星預計增加32億美元支出，英特爾預計增加23.75億美元支出，格芯預計增加8.65億美元，海力士預計增加8.12億美元，四家公司支出增加值合計為72.52億美元。2017年全行業資本支出計劃比2016年增加80.21億美元，三星、英特爾、格芯和海力士四家資本支出增加值合計占了90%。

產品類別中，DRAM/SRAM資本支出同比增長31%，增長率居首。2016年第三季度開始的DRAM價格瘋漲，讓DRAM制造商再一次步入增加資本支出階段。

2016年投資于閃存的資本支出為146億美元，遠高于DRAM產品資本支出（85億美元）。IC Insights估計，2016年和2017年投入到閃存的資本支出主要用于3D NAND閃存工藝技術，而不再投入到平面閃存工藝。2017年閃存資本支出增加主要來自于三星，三星將擴大其在韓國平澤市（Pyeongtaek）超大新晶圓廠的3D NAND產能。

中國晶圓廠可望后續新增

IC Insights總裁Bill McClean指出，他認為，隨著各新興大陸晶圓企業崛起，其未來幾年內很可能投入超過10億美元的資本支出。著眼于未來幾年內，本土將有超過20家新的芯片晶圓廠投入生產，而中國亦計劃在10年之內投資超過1600億美元強化國內半導體行業發展。

以名列第六的中芯國際來看，在業績取得較大幅度增長的同時，資本支出同樣也在大幅增加。中芯國際2016年資本開支為26.26億美元，其中12.4億美元用在了北京合資廠的產能擴充上。中芯國際預計2017年資本支出約為23億美元，其中9億美元繼續用于北京廠的產能擴充。另外用于先進工藝的如28納米的研發也是其著墨重點。