近日，在北京市科委組織推動下，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟主辦，北京華商三優(yōu)新能源科技有限公司、泰科天潤半導(dǎo)體科技（北京）有限公司承辦的“碳化硅新型充電樁示范工程啟動暨技術(shù)與應(yīng)用研討會”在京召開。

　　會上，正式啟動了我國首個碳化硅（SiC）新型充電樁示范工程，標(biāo)志著我國碳化硅新型充電樁邁出了實際應(yīng)用的第一步。來自政府及企業(yè)代表共約100多人出席了本次會議。科技部原副部長曹健林，科技部高新技術(shù)中心材料處史冬梅處長出席會議并致詞，浙江大學(xué)盛況教授就國家重點研發(fā)計劃“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”專項中“中低壓SiC材料、器件及其在電動汽車充電設(shè)備中的應(yīng)用示范”項目的進(jìn)展進(jìn)行了匯報。

　　隨后，出席會議的政府領(lǐng)導(dǎo)及產(chǎn)業(yè)鏈核心企業(yè)代表共同啟動了以北京為起點面向全國推廣的“四城一會”碳化硅充電樁示范工程，并考察了由華商三優(yōu)公司、泰科天潤公司在通州馬駒橋充電場站開展的大功率碳化硅器件新型充電樁示范工程。目前，充電樁運行效果良好，電能轉(zhuǎn)化效率高達(dá)96%，大大提高了充電效率與充電時間。

　　北京市科委從2012年開始通過科技項目的方式對第三代半導(dǎo)體材料進(jìn)行系統(tǒng)布局，通過技術(shù)創(chuàng)新引領(lǐng)實現(xiàn)了核心技術(shù)突破，初步形成了從碳化硅材料、器件、封裝到應(yīng)用的全產(chǎn)業(yè)鏈條。其中，天科合達(dá)公司4英寸碳化硅襯底材料實現(xiàn)批量生產(chǎn)，泰科天潤公司成功研制出了1200VSiCMOSFET功率器件并實現(xiàn)小批量化生產(chǎn)，成為國際上少數(shù)幾個能提供SiCMOSFET器件的公司之一，為推動第三代半導(dǎo)體材料、器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展，打破國外技術(shù)壟斷奠定了良好基礎(chǔ)。同時市科委開展體制機制創(chuàng)新，積極對接國家重大項目，聯(lián)合順義區(qū)政府及聯(lián)盟，共建第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用聯(lián)合創(chuàng)新基地，快速推進(jìn)產(chǎn)業(yè)鏈構(gòu)建和產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新生態(tài)環(huán)境培育，有力地支撐了全國科技創(chuàng)新中心建設(shè)。