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英特爾發布采用3D NAND技術的數據中心級固態盤

2017-05-03

  今天,英特爾發布了英特爾 固態盤DC P4500系列及英特爾 固態盤DC P4600系列兩款全新的采用3D NAND技術的數據中心級固態盤,加強了其擴大3D NAND供應的承諾。

  作為英特爾 固態盤數據中心產品家族的最新補充,這兩款產品主要為云存儲解決方案所設計,可應用于軟件定義存儲及融合式基礎設施。英特爾? 固態盤DC P4500系列專門針對數據讀取進行優化,能讓數據中心從服務器中獲得更多價值并存儲更多數據。而針對混合型工作負載所設計的英特爾? 固態盤DC P4600系列則可以加速緩存,并使每臺服務器可運行的工作負載量實現提升。

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  基于英特爾3階單元(TLC)3D NAND的英特爾? 固態盤DC P4500系列及英特爾? 固態盤DC P4600系列具備業界領先的存儲密度,同時使用英特爾全新開發的控制器、獨特的固件創新,并采用PCIe/NVMe標準。全新的數據中心級固態盤將實現性能、容量、可管理性及可靠性的結合,并為數據中心提供顛覆性的價值。以上獨特的技術優勢將在加速向軟件定義存儲遷移的同時加強有效擴展性,提升數據中心的效率,并在提高服務水平的同時降低總體擁有成本。初期,英特爾? 固態盤DC P4500系列與英特爾? 固態盤DC P4600系列將發布容量分別為1TB、2TB、4TB的半高半長的插卡式及U.2接口2.5寸形態的產品。

  此外,英特爾在中國大連也在擴建Fab68工廠以擴大3D NAND的供給,進而滿足最終用戶的存儲需求。2015年10月,英特爾宣布投資建設大連Fab68工廠并轉產3D NAND。

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