器件具有37.8A的連續(xù)漏極電流，導(dǎo)通電阻低至8.4mΩ，采用小尺寸PowerPAK SC-70封裝
賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 4 月25 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，發(fā)布新的30V N溝道TrenchFET 第四代功率MOSFET---SiA468DJ，為移動(dòng)設(shè)備、消費(fèi)電子和電源提供了更高的功率密度和效率。Vishay Siliconix SiA468DJ采用超小尺寸PowerPAK SC-70封裝，是具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻和最高的連續(xù)漏極電流的2mm x 2mm塑料封裝的30V器件。
今天發(fā)布的MOSFET是目前尺寸最小的30V產(chǎn)品之一，比PowerPAK 1212封裝的器件小60%，在筆記本電腦、平板電腦、VR頭盔和DC-DC磚式電源，無(wú)線充電器中的H橋，以及無(wú)人機(jī)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制中，可用于DC/DC轉(zhuǎn)換和電池管理的負(fù)載切換。
SiA468DJ在10V和4.5V下具有8.4mΩ和11.4mΩ的極低導(dǎo)通電阻，在這些應(yīng)用中能減小傳導(dǎo)損耗，提高效率。其導(dǎo)通電阻比前一代產(chǎn)品低51%，比最接近的競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品低6%。另外，MOSFET的優(yōu)值系數(shù) (FOM) 針對(duì)各種功率轉(zhuǎn)換拓?fù)溥M(jìn)行了優(yōu)化。
SiA468DJ的連續(xù)漏極電流高達(dá)37.8A，比前一代器件高68%，比最接近的競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品高50%。高漏極電流為會(huì)碰到高瞬變電流的應(yīng)用產(chǎn)品提供了足夠的安全余量。MOSFET進(jìn)行了100%的RG測(cè)試，符合RoHS，無(wú)鹵素。
SiA468DJ現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十三周。