余承東日前爆料稱，P10系列手機混用UFS和EMMC兩種閃存方案的核心原因，就是供應鏈Flash嚴重缺貨，華為的存儲至今還處于缺貨之中。那么，NAND Flash制造商如今產能狀況如何？缺貨問題何時能夠得到緩解？

據(jù)DIGITIMES報道，全球存儲器主要的幾家大型原廠開始針對3D NAND Flash提高產能，包括三星電子、SK海力士、東芝、美光、英特爾等，3D NAND產能將有望在今年下半年放量。有后段封測廠表示，供給緊缺局面得到稍微緩解、價格回穩(wěn)，至少要等到2017年第三季度。

主要是因為2017年存儲器大廠將工藝從2D NAND轉換到3D NAND的過程中，良率一直不穩(wěn)定，2D NAND需求旺盛產能滿載，總體閃存產能供給減少，造成NAND Flash價格上漲、供需緊張局面。半導體相關廠商表示，韓廠2017年下半年將陸續(xù)量產，三星的64層3D NAND、SK海力士的72層3D NAND領先業(yè)界。

三星兩年前斥資144億美元建設的平澤工廠基本完工了，三星稱其為世界最大的半導體工廠，預計7月份正式投產，主要生產64層堆棧的新一代3D NAND閃存。

平澤工廠預計會在7月份正式投產，雖然號稱是全球最大的半導體工廠，不過產能提升也是有個過程的，今年內產能可能只有7-8萬片晶圓/月，一兩年之后才能全速運轉。三星平面及3D閃存工廠加起來每月產能大約是45萬片晶圓，平澤工廠將占據(jù)10-20%的份額。

三星平澤工廠在未來兩三年內可能還是最大的半導體工廠，不過這個最大工廠的名頭很有可能被中國的長江存儲科技取代——該公司在武漢、南京建設的晶圓廠規(guī)模更大，2020年時每個晶圓廠月產能可達30萬片晶圓（還是12英寸的），真要投產了這兩個工廠的產能就足以比肩三星全部NAND工廠產能，而武漢基地規(guī)劃的產能最終是在2030年達到每月100萬片晶圓。目前，紫光集團正在通過旗下上市平臺紫光國芯并購長江存儲公司。

與臺灣存儲產業(yè)關系密切的美光科技，預計2017年第二季度實現(xiàn)64層3D NAND的量產工作，2017年下半年開始有望放量生產。日本廠商東芝半導體業(yè)率先鎖定了64層3D NAND Flash產品，擴大持續(xù)擴大3D NAND產能。

英特爾大連工廠已于2016年底量產3D NAND，2017年下半年更會生產新一代3D XPoint存儲器——NVM非揮發(fā)性存儲器，效能大勝于NAND Flash。目前，英特爾僅推出第一款采用3D Xpoint之固態(tài)硬盤。后段封測代工廠力成表示，美光的3D NAND和英特爾3D XPoint訂單增長，第二季度將優(yōu)于第一季度。由于具有相當難度，交期恐怕延長。

有存儲業(yè)者表示，預估2017年上半年DRAM、NAND Flash缺貨漲價行情會持續(xù)，市場進入第三季度，隨著國際大廠陸續(xù)放量生產3D NAND，整體NAND Flash漲價態(tài)勢稍微趨緩，產業(yè)供需緊張可望稍微調整腳步。