2016年年底，華力微電子宣布啟動總投資達387億元的二期建設項目。這是我國最新規劃建設的一條以28～14納米工藝為目標的12英寸晶圓生產線。業界對其發展進程高度關注。日前，華力總裁雷海波在“2017中國半導體市場年會”演講中，闡述了“先進成熟”工藝的發展理念。有觀點認為，這將是華力在其二期項目建設中采取的一項重要發展策略。

“先進成熟”工藝將成二期發展策略

“目前，與國際先進水平相比，中國大陸的半導體制造產能與工藝技術水平仍有很大差距。2016年，中國大陸晶圓代工產能僅占全球的14．6％，28納米及以下工藝產能僅占全球的1．4％。做大規模是做強的基礎，特別是要對‘先進成熟’工藝（28、14納米）的產業化加大力度。其中，加大產業化投入是指加大每年的基礎研發投入和前瞻性技術的研發投入。另外，加強本土半導體產業人才培養也是產業化投入的重要部分。”這是雷海波在演講中重點強調的觀點之一。

2016年，華力一期投產之后正式啟動了二期項目建設，通過新設法人——上海華力集成電路制造有限公司的方式，在浦東新區康橋工業區南區新征土地建設一條月產能4萬片的12英寸集成電路芯片生產線。根據規劃，華力二期新生產線的工藝節點為28～14納米。它延續了一期項目55～40～28納米的工藝發展規劃，將形成相對連續完整的演進路徑，重點正是國際上已經相對成熟，但對中國大陸廠商來說仍然存在極大挑戰的28、14納米工藝平臺。

根據此前發布的消息，華力已經與IC設計大廠聯發科技合作開發了28納米工藝，預計2017年將實現量產。該工藝平臺將首先在華力一期實現小規模量產，未來將導入二期生產線。

那么，華力未來將如何開發并利用好28納米及14納米的產能，在與臺積電等晶圓代工龍頭大廠的競爭中取得更好的成績，是業界所普遍關注的。而發展“先進成熟”工藝，或許就是華力的重要策略之一。

“‘先進成熟工藝’這個概念是把國內與國際實際情況結合起來而總結提出的，有些工藝比如28納米，在中國大陸還屬于先進工藝，但是在國際上它已經成熟了。在把它們開發出來并推向市場之后，如何取得更好的經營效益、實現持續發展，是公司思考的重點。”雷海波指出。一般來說，在一個工藝節點上主工藝平臺首先發展的是邏輯工藝或者是RF。隨著技術的成熟再逐漸開發特色工藝平臺，如高壓工藝平臺、CIS工藝平臺、eFlash工藝平臺等。對于中國大陸半導體公司來說，由于與國際先進水平存在著1．5～2代的代差，因此在工藝平臺開發之初，就不能把力量僅僅集中在標準工藝上，也要關注特色工藝的開發。

“目前，華力的28納米平臺已在開發邏輯芯片和射頻芯片了。相信在3～5年后，CIS和嵌入式閃存也將移植到28納米平臺上。”雷海波告訴記者。

CIS、eFlash將移植到28納米工藝平臺

華力在建設一期項目時已下大力開發特色工藝。基于自主研發的55納米低功耗邏輯工藝平臺，華力推出了多個先進的特色工藝技術平臺，包括55納米圖像傳感器工藝、55納米高壓工藝、55納米超低功耗工藝、55納米射頻工藝和55納米嵌入式閃存工藝平臺。其中，55納米圖像傳感器工藝是中國本土唯一利用12英寸在55納米工藝節點進行高端圖像傳感器芯片制造，并最早進入大規模量產，結合當前雙鏡頭、物聯網等市場應用熱點，已成為華力主要營收來源之一。

基于實際經驗，華力在二期建設時將推進“先進成熟工藝”作為重點。55納米后，CIS的下一個技術節點是40納米。“未來，華力將會把CIS工藝導入到28納米工藝平臺上。”雷海波表示。

華力二期建設在2016年12月時項目已經動工。“實現了當年規劃、當年開工。目前，打樁工作已經完成，接下來我們要建設主體廠房及動力廠房，確保在今年年底前廠房封頂，并安裝部分機電設備。同時，我們的工藝設備選型工作已經開始，將在今年年底前完成前期1萬片的設備訂單，以保證在2018年年底前形成1萬片的產能。”雷海波透露。

然而，在產線的建設過程中有一點特別需要注意。“中國企業不能一味追蹤摩爾定律的垂直主線進度，在相對國際先進水平1．5～2代的代差難以短期迅速拉近的情況下，我們應當首先將相對先進的工藝做好、做扎實，以先進的工藝平臺發展特色生產線，將業務做寬、做實。這是最現實的選擇。”雷海波指出。