晶圓代工廠聯電獲準授權28 納米技術予中國子公司聯芯集成電路制造（廈門），聯芯28 納米預計第二季導入量產，將搶攻中國手機芯片市場。

聯芯甫于去年底投產，目前以40 納米制程技術為主，月產能約1．1 萬片規模。

聯電今天公告，獲準技術授權28 納米技術予中國子公司聯芯，技術授權金額2 億美元。聯電表示，聯芯將盡快導入28 納米制程，預計第二季可進入量產，將搶攻中國手機芯片市場；聯芯預計至今年底月產能將擴增至1．6 萬片規模。

至于2 億美元技術授權金，聯電指出，將依進度認列，只因與聯芯為母子公司關系，對損益無影響，僅有現金收入。

N－1規則，14nm量產后的推進

根據臺灣規定，投資大陸的技術要比臺灣的落后一代，也就是所謂的“N－1”規則，聯電這次進入大陸，是因為其14nm正式投入量產。

23日也宣布，自主研發的14nm鰭式場效晶體管（FinFET）制程技術，已成功進入客戶芯片量產階段，良率已達先進制程的業界競爭水平，此制程將幫助客戶開拓嶄新的應用于電子產品。

聯電CEO顏博文表示，這次達成14nm量產的里程碑，象征聯電成功攜手客戶，將先進技術導入市場，同時與其他客戶的合作也在順利進行中，將持續優化此制程，充分發揮14納米FinFET在效能、功耗和閘密度所具備的優勢，以驅動次世代硅芯片于網絡、人工智能和各類消費產品等各領域的應用。

聯電14納米 FinFET制程效能競爭力已達業界領先標準，速度較28nm增快55％，閘密度則達兩倍，此外，功耗亦較28納米減少約50％。 此14nm客戶芯片現正于聯華電子臺南的Fab 12A晶圓廠生產中，未來將因應客戶需求，穩步擴充其14nm產能。

聯電宣布自主研發的14納米鰭式場效晶體管（FinFET）制程技術， 也宣告聯電已決定將廈門聯芯的晶圓制程推進到28nm量產，搶食在大陸制造最大一塊的手機和網通芯片代工商機。

顏博文強調，14納米FinFET制程效能競爭力已達業界標準，速度比28 nm增快55％，閘密度達兩倍，而且芯片功耗也較28nm減少約50％。

28nm進攻大陸，中芯國際受沖擊？

聯芯集成電路是聯電和廈門政府合作的12寸晶圓廠，計劃開始于2015年，而到2016年6月，該工廠已經交付投產，并在7月底投入試產，良率也高達98％。在產能布建上，2016第4季月產能約達3千片，從2017年開始，逐季擴充產能，2018年第二季平均月產能就可達到2．5萬片規模。

業界人士認為，聯芯55／40納米米制程可用來生產嵌入式芯片、CMOS影像感測器、通訊芯片等，高通將成為聯芯主要客戶之一。

目前，聯電28納米制程采用嶄新的應力技術（SMT， t－CESL， c－CESL） 與嵌入式SiGe，以強化電子遷移率的表現，專為需要高效能與低功耗之應用產品所開發。目前已采用28HLP SiON 與28HPM／HPC HK／MG 制程量產多家客戶產品。聯電現正積極擴增28納米產能，以滿足客戶對此廣受歡迎制程的高度需求。

28HLP – 采用強化的SiON技術

聯電高效能低功耗（HLP） 制程為40納米平順的制程移轉途徑，具備了便于設計采用，加速上市時程，以及優異的效能／成本比。針對有高速要求的客戶應用產品，此制程提供了大幅提升的效能與功耗，速度可較業界其他晶圓專工廠提供的28nm SiON制程提升10％。

28HPM／HPC － 采用高介電系數／金屬閘極堆疊技術

聯電28HPM／HPC 技術廣泛支援各種元件選項，以提升彈性及符合效能需求，同時針對多樣的產品系列，例如應用產品處理器、手機基頻、WLAN、平板電腦、FPGA 及網通IC等。具備高介電系數／金屬閘極堆疊及豐富的元件電壓選項、記憶體位元組及降頻／超頻功能，有助于系統單芯片設計公司推出效能及電池壽命屢創新高的產品。

在聯芯進入28nm之后，因為聯電的良率明顯比中芯國際的穩定，而這個制程更是中端手機芯片和高端網絡芯片的必備制程，他們進入大陸，勢必會給中芯國際造成沖擊。對于中芯來說，需要應對的問題又多了一個。