實(shí)現(xiàn)更低的初始購(gòu)置成本和總體擁有成本
打破專有高成本刀片設(shè)計(jì)的思路，實(shí)現(xiàn)比機(jī)架安裝和OCP服務(wù)器更低的購(gòu)置成本以及更高的密度、性能和功率效率
加州圣何塞2017年3月1日電 /美通社/ -- 全球計(jì)算、存儲(chǔ)以及綠色計(jì)算等網(wǎng)絡(luò)技術(shù)領(lǐng)先企業(yè) 美超微電腦股份有限公司 (Super Micro Computer, Inc.) (NASDAQ: SMCI)已發(fā)布其新款SuperBlade?服務(wù)器，相比傳統(tǒng)刀片、機(jī)架安裝和OCP設(shè)計(jì)，能提供更好的初始購(gòu)置成本結(jié)構(gòu)，并且具備開放Rack Scale Design架構(gòu)中刀片的密度和運(yùn)行效率。
新推出的8U SuperBlade?支持當(dāng)前和新一代基于英特爾?至強(qiáng)?處理器的刀片服務(wù)器，搭載最快的100G EDR InfiniBand和Omni-Path交換機(jī)，適用于任務(wù)關(guān)鍵型企業(yè)和數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域。該產(chǎn)品還采用與獲得成功的MicroBlade?相同的以太網(wǎng)交換機(jī)、機(jī)箱管理模塊和軟件，具有更高的可靠性和適用性，并且也更經(jīng)濟(jì)實(shí)惠。該產(chǎn)品最大限度地提高了性能和功率效率，在半高和全高刀片中分別支持高達(dá)205瓦的DP和MP處理器。尺寸較小的新型4U SuperBlade最大限度地提高了密度和功率效率，每個(gè)42U機(jī)架支持多達(dá)140個(gè)雙處理器服務(wù)器或280個(gè)單處理器服務(wù)器。
新款SuperBlade的共享基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)計(jì)使功耗降低多達(dá)20%，實(shí)現(xiàn)了最大的功率效率，具有行業(yè)領(lǐng)先的密度（高達(dá)1U機(jī)架系統(tǒng)的7倍），并且使布線減少了96%。SuperBlade利用基于Redfish的開放式管理和美超微Rack Scale Design，可支持規(guī)模化開放系統(tǒng)管理。
美超微總裁兼首席執(zhí)行官梁見后表示：“我們新推出的SuperBlade不僅優(yōu)化了總體擁有成本，還降低了初始購(gòu)置成本，并且具有行業(yè)領(lǐng)先的服務(wù)器密度以及每瓦、每平方英尺和每美元最高性能。我們的8U SuperBlade是首款也是唯一一款支持205W至強(qiáng)CPU、NVMe驅(qū)動(dòng)器和100G EDR IB或Omni-Path交換機(jī)的刀片系統(tǒng)，確保這個(gè)架構(gòu)針對(duì)目前和未來(lái)的新一代技術(shù)發(fā)展進(jìn)行了優(yōu)化，包括新一代英特爾Skylake處理器。”
新型 8U SuperBlade機(jī)箱
多達(dá)20個(gè)半高雙插座刀片服務(wù)器，40個(gè)熱插拔NVMe驅(qū)動(dòng)器
多達(dá)10個(gè)全高4插座刀片服務(wù)器，80個(gè)熱插拔NVMe驅(qū)動(dòng)器
一個(gè)100G EDR IB或Omni-Path交換機(jī)
多達(dá)4個(gè)以太網(wǎng)（1G，10G，25G）交換機(jī)
一個(gè)機(jī)箱管理模塊
多達(dá)8個(gè)（N+1或N+N冗余）2200W鈦金級(jí)(96%)數(shù)字電源
新型4U SuperBlade機(jī)箱
多達(dá)14個(gè)半高雙插座刀片服務(wù)器
多達(dá)28個(gè)單插座刀片服務(wù)器節(jié)點(diǎn)
多達(dá)2個(gè)以太網(wǎng)（1G，10G，25G）交換機(jī)
多達(dá)4個(gè)（N+1或N+N冗余）2200W鈦金級(jí)(96%)數(shù)字電源
一個(gè)機(jī)箱管理模塊
SBI-4129P-C2N/T3N
20 2英特爾至強(qiáng)處理器（高達(dá)205W），最高2TB DDR4
每節(jié)點(diǎn)2個(gè)熱插拔NVMe/SAS3或3個(gè)熱插拔SATA3驅(qū)動(dòng)器
每節(jié)點(diǎn)多達(dá)5個(gè)M.2 NVMe
2個(gè)10GbE+ 100G InfiniBand/Omnipath
SBI-8149P-T8N/C4N
4個(gè)英特爾至強(qiáng)處理器（高達(dá)205W），最高6TB DDR4
每節(jié)點(diǎn)8個(gè)熱插拔NVMe/SATA3或4個(gè)熱插拔NVMe/SAS3驅(qū)動(dòng)器
每節(jié)點(diǎn)多達(dá)6個(gè)M.2 NVMe
4個(gè)10GbE或2個(gè)10GbE+100G InfiniBand/Omnipath