集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）最新研究顯示，由于DRAM供貨吃緊至今未有改善的跡象，因此延續(xù)2016下半年的價(jià)格漲勢(shì)，2017年第一季DRAM平均銷售單價(jià)呈大幅上漲格局，DDR3 4GB模組的合約價(jià)最高已超過(guò)25美元，季漲幅超過(guò)三成，為DRAM史上首個(gè)在傳統(tǒng)淡季下仍能維持強(qiáng)勢(shì)漲價(jià)的季度。

DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，根據(jù)現(xiàn)已成交的合約看來(lái)，2017年第一季標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存價(jià)格持續(xù)攀高，平均漲幅接近三成，服務(wù)器內(nèi)存的漲幅略同，R－DIMM 32GB模組已超過(guò)200美元大關(guān)，漲幅同樣超過(guò)兩成。

行動(dòng)式內(nèi)存也因智能手機(jī)在中國(guó)新年鋪貨的需求帶動(dòng)下，不論是單顆顆粒（discrete product）或eMCP解決方案，價(jià)格都同樣攀高，季漲幅估將超過(guò)一成。

行動(dòng)式與服務(wù)器內(nèi)存需求持續(xù)強(qiáng)勁，供貨吃緊將可能持續(xù)整年

2016年起，由于中國(guó)品牌崛起帶動(dòng)智能手機(jī)需求旺盛，DRAM原廠陸續(xù)調(diào)降標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存產(chǎn)出，轉(zhuǎn)作行動(dòng)式內(nèi)存。在供貨減少下，DDR3 4GB均價(jià)一路攀升至今，連帶讓服務(wù)器內(nèi)存價(jià)格也呈現(xiàn)大漲，甚至行動(dòng)式內(nèi)存在2017年第一季也有近15％的季漲幅，此外，圖形處理用內(nèi)存與利基型內(nèi)存也都雨露均沾，季漲幅至少超過(guò)一成。

展望2017年，各DRAM原廠資本支出較為保守，皆不傾向過(guò)分?jǐn)U張產(chǎn)能，并以獲利導(dǎo)向?yàn)橹饕?jīng)營(yíng)策略。

DRAMeXchange預(yù)估，2017年DRAM產(chǎn)業(yè)的供給端位元年成長(zhǎng)率僅19％，遠(yuǎn)低于往年至少二成甚至超過(guò)三成的年成長(zhǎng)率，在2017年DRAM需求端年成長(zhǎng)超過(guò)22％情況下，供不應(yīng)求的嚴(yán)峻程度可見(jiàn)一斑。

從市場(chǎng)面觀察，由于2017年旗艦手機(jī)內(nèi)存搭載量將上看8GB，加上中端手機(jī)多邁向搭載4GB規(guī)格，因此行動(dòng)式內(nèi)存依然是DRAM產(chǎn)業(yè)需求成長(zhǎng)最為強(qiáng)勁的類別，整體而言，2017年智能手機(jī)內(nèi)存容量年成長(zhǎng)將超過(guò)30％，超越一般筆電使用的內(nèi)存規(guī)格。

此外，因各式云服務(wù)興起，服務(wù)器用內(nèi)存需求也顯著成長(zhǎng)。DRAMeXchange預(yù)估，2017年服務(wù)器的平均內(nèi)存容量將達(dá)130GB以上，其中，中國(guó)市場(chǎng)的強(qiáng)勁需求力道高于世界水平，亦驅(qū)使DRAM廠在2017年的產(chǎn)能分配下，皆計(jì)劃將產(chǎn)能轉(zhuǎn)往行動(dòng)式內(nèi)存與服務(wù)器內(nèi)存，持續(xù)使部分的DRAM產(chǎn)品供貨吃緊甚至發(fā)生缺貨情形。

現(xiàn)階段DRAM廠多采取制程轉(zhuǎn)進(jìn)的方式滿足客戶需求，而不傾向增加產(chǎn)能，因此，2017年供貨短缺的情況極有可能持續(xù)一整年度，有助于DRAM產(chǎn)業(yè)維持豐厚獲利。