基于10nm制程工藝，高通驍龍835處理器采用4×2.45GHz大核+4×1.9GHz小核的八核設(shè)計(jì)，大小核均為高通自主Kryo280架構(gòu)，并搭載Adreno540GPU，支持UFS2.1閃存標(biāo)準(zhǔn)以及LPDDR4x四通道內(nèi)存。
得益于采用10nmFinFET工藝制程，驍龍835處理器的封裝尺寸減小35%，同時(shí)功耗降低25%。
性能比驍龍820提升27%，功耗降低40%。
再加上支持高通QC4.0快充技術(shù)，配合QC4.0快充技術(shù)，充電5分鐘，使用5小時(shí)。相比上一代QC3.0標(biāo)準(zhǔn)，其充電速度提升了20%，充電效率提升了30%。
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