1.3.11片上調試支持

片上調試支持下面的特征：

支持多處理器的調試，讓用戶控制內嵌在器件中的多CPU核，比如：

單個或多個處理器的全局啟動調試和停止

每個處理器能產生觸發，這可用于改變其它處理器的執行流程

系統時鐘定時和掉電

多器件的互聯

通道觸發

目標調試，使用：IEEE1149.1（JTAG），或IEEE1149.7端口

在正常運行模式下，功耗的降低

調試子系統包括：

IEEE1149.7適配器

模擬和測試控制使用通用的TAP

調試存取端口（DAP）

內嵌的追蹤宏（ETM）

追蹤端口接口單元（EPIU）

內嵌的追蹤緩沖（ETM）

模擬腳管理（EPM）

交叉觸發（XTRIG）

調試子系統還提供：

CJTAG_ADAPTER基本的掃描配置支持

ICEMelter，用于控制模擬電源域的喚醒和掉電

L3_INSTR CORE儀器互聯

OCP觀測點（OCP-WP）用戶監視L3互聯交易，這發生于目標交易屬性與用戶定義屬性匹配或外部調試事件觸發的時候。

電源管理事件分析器

時鐘管理分析器

統計信息收集器

1.3.12電源、復位、時鐘管理

PRCM模塊實現對時鐘和電源的高效控制以滿足性能要求的同時還降低電源功耗。PRCM模塊劃分成：

電源和復位管理（PRM）：

動態時鐘門控

動態調整電壓和頻率

動態電源切換

靜態泄漏管理

時鐘管理（CM），用于時鐘的產生和分配，減少動態功耗。

1.3.13片上內存OCM

器件包括多達3個片上內存控制器OCMC實例，帶ECC的關聯RAM。總共容量達2.5MiB。

OCMC RAM可實現環形緩沖（要求8MiB虛擬地址空間）。

一個OCMC帶關聯ROM，容量256KiB

在喚醒域，存儲和恢復內存/暫存。

1.3.14內存管理

系統DMA控制器具有128個硬件請求，32個優先級的邏輯通道，256x64bitFIFO在有效的通道間可動態定位.

EDMA控制器支持2個同時讀和兩個同時寫物理通道，多達64個可編程邏輯通道。

動態內存管理（DMM）模塊，執行全局地址翻譯，地址旋轉（tiling）和在兩個EMIF通道間的交織存取

2個內存管理單元（MMU）具有4KiB、64HiB、1MB、16MB可編程頁尺寸和32個entries  TLB

MMU1專屬于EDMA

MMU2專屬于PCIe

1.3.15外部內存接口

兩個32bit DDR控制器（EMIF1和EMIF2），每個都具備下面特點：

SECDED支持32bit和16bit/窄模式

可編程尋址模式，以定義SECDED保護區域

校驗位計算和存儲：所有SECDED保護地址區域進行的寫操作

校驗的驗證：所有SECDED保護地址區域進行的讀操作

1bit和2bit錯誤的統計

雙端口控制器，以實現不同應用之間的高效內存共享

每個內存端口控制器有32bit數據通道，2個片選

每個片選支持2GiB空間，通過MPU擴展尋址范圍，提供總共4GiB可尋址的SDRAM空間。

EMIF1控制器支持一位出錯糾正兩位出錯檢測（SECDED：single bit Error Correction and Dual Error Detection）

通用目的內存控制器（GPMC）支持下面類型的存儲器：

異步SRAM

異步或同步NOR FLASH內存

NAND Flash 內存，通過錯誤定位模塊（ELM）實現多達16bit的ECC

Pseudo-SRAM器件。

4 SPI模塊，支持1到4尋址字節，用于SPI NOR FLASH，高達66MHz單數據速率。