中國，2016年11月4日 —— 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）發(fā)布兩款40V汽車級MOSFET。新產(chǎn)品采用意法半導(dǎo)體最新的STripFET? F7制造技術(shù)，開關(guān)性能優(yōu)異，能效出色，噪聲輻射極低，耐誤導(dǎo)通能力強(qiáng)。新產(chǎn)品最大輸出電流達(dá)到120A，主要目標(biāo)應(yīng)用包括高電流的動力總成、車身或底盤和安全系統(tǒng)，同時優(yōu)異的開關(guān)特性使其特別適用于電機(jī)驅(qū)動裝置，例如電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPS)。

　　意法半導(dǎo)體的STripFET系列采用DeepGATE?技術(shù)降低芯片單位面積導(dǎo)通電阻RDS(on)和RDS(on) x 柵電荷(Qg)值，在采用相同的功率器件封裝條件能效非常優(yōu)異。高雪崩特點是新產(chǎn)品另一大亮點。

　　通過降低體效應(yīng)二極管的反向恢復(fù)電荷(Qrr)和反向恢復(fù)時間(trr)，STripFET F7的開關(guān)性能尤其是能效大幅提升，同時軟度更高的反向恢復(fù)可最大限度降低靜電干擾 (EMI)，從而放寬對濾波器件的要求。此外，電容得到優(yōu)化，使器件抗噪性得到改善，緩解了對緩沖電路的需求，閾壓調(diào)校使器件具有良好的耐抗誤導(dǎo)通性能，而無需專用柵驅(qū)動器。在電機(jī)驅(qū)動等電橋拓?fù)渲校O管軟恢復(fù)方法有助于防止直通電流現(xiàn)象發(fā)生，從而提高驅(qū)動電路的可靠性。

　　40V STL140N4F7AG 和 STL190N4F7AG通過AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，采用側(cè)面支持濕法焊接的PowerFLAT 5x6封裝。緊湊的封裝面積和0.8mm的厚度支持高系統(tǒng)功率密度，此外側(cè)面鍍錫設(shè)計有助于提升焊接可靠性和壽命，100%支持自動光學(xué)檢驗工序。

　　40V車用STripFET F7 MOSFET即日起量產(chǎn)。