前不久，OTP技術的主要領導者Kilopass宣稱，推出革命性的VLT技術，進而顛覆全球DRAM市場。這一消息頓時在DRAM產業界掀起巨浪，贊譽和質疑紛至沓來。到底什么是VLT技術？與當前基于電容的DRAM產品相比，VLT帶來哪些改變？它的成長還需要哪些必不可少的因素？ DRAM市場又是否會歡迎它的到來？

VLT：應用于DRAM的晶閘管技術

VLT，即Vertical Layered Thyristor，垂直分層晶閘管技術。使用VLT技術，授權商能夠迅速高效地提供與JEDEC標準完全兼容的DRAM產品，這些產品在功耗和成本上將具有顯著優勢，同時也免去了現有DRAM制造流程中構建電容的困擾。

晶閘管是一種結構復雜的電子器件，結構上非常適合存儲器；與當前基于電容的DRAM相比，晶閘管內存不需要刷新。之前人們就曾屢次嘗試將其應用于SRAM市場，但都未能成功。

Kilopass的VLT通過垂直方式實現晶閘管架構，從而使存儲單元更加緊湊。緊湊的結構加上所需的物理器件，構造出制造工藝簡單的交叉點內存，這將帶來一項與DDR標準兼容，并且比當前頂尖的20納米DRAM制造成本低45%的新技術。此外，因為VLT不需要復雜且高功耗的刷新周期，基于VLT的DDR4 DRAM將待機功耗降低了10倍，可降低到50fA/bit以下，且仍將性能提高15%。最為關鍵的是，VLT避開了傳統DRAM制造中最大的挑戰，即溝電容的制造，從而規避了相關的專利沖突，這一點具有很重要的戰略意義。

當然，VLT技術也存在其局限性。其存儲單元的讀寫方式是Intel和美光所采用的XPoint的讀寫方式，只能靠發送的電壓變化發生，這種讀寫方式使得VLT技術推廣過程中將面臨很大的挑戰。

Kilopass：我們希望與合作伙伴一起為VLT構建健康的成長環境

作為一項全新的技術，雖然它具備諸多明顯的優勢，但想要真正地為市場所認可，進而構建成熟穩定的生態圈，這必然是一個艱辛而漫長的過程。

Kilopass首席執行官Charlie Cheng說道：“我們希望能在全球尋找三到四家企業授權，共同為VLT技術的推廣和使用努力。對于這幾家最終入選的企業，Kilopass希望它們來自不同的國家或地區，幾者之間能夠形成如同三國一樣，相互督促、相互牽制的成熟、穩定的良性競爭關系。”

就中國而言，國務院于2014年6月頒布了《國家集成電路產業發展推進綱要》，要實現其中集成電路行業產值從2015年3,500億人民幣以年均20%的增速達到2020年約8,700億人民幣這一目標，DRAM產業的增長顯得至關重要。因此中央和地方政府都對DRAM產業給予了巨大關注與扶持。Kilopass也認為，目前中國的市場對VLT的發展非常有利，目前也與一些企業洽談中，希望能夠在中國半導體存儲器產業中尋找到一個合作伙伴。

DRAM產業：門檻過高 巨頭壟斷

DRAM的最核心的技術是電容存儲單元，它帶來了一系列的制造挑戰，導致DRAM市場準入門檻非常高。而且，目前DRAM市場被三星、海力士和美光三家企業所壟斷，想在DRAM市場闖出一片新天地，絕對是一場硬仗。

為了進入DRAM市場，必須避免正面沖突，另辟蹊徑，利用創新的替代方案，以推動競爭升級，爭取實現差異化。VLT正是這樣一個選擇。目前，Kilopass已可以向數量有限的特許受讓人提供VLT DRAM技術，用于20nm到31nm工藝技術節點。并使用其突破性的TCAD模擬器，在所有的半導體制造工藝細節上對這兩個節點進行了詳盡的模擬，新一代10nm技術的驗證有望在2017年完成。