CSP封裝芯片的量產測試采用類似晶圓測試的方法進行，但是兩者的區別在于：晶圓的測試，探針是扎在管芯的PAD（通常情況下為鋁金屬）上，而CSP封裝的測試座，探針是扎到CSP封裝的錫球上。問題由此產生，在晶圓測試中鋁質的PAD對探針污染很小，測試過程中不需要經常對探針進行清潔（一般測試幾百上千顆進行在線清針一次即可），而CSP封裝的錫球對探針污染非常嚴重，特別是在空氣中放置一段時間后，加重了錫球的氧化，對探針的污染就更為嚴重，另外流過探針的電流大小也會直接影響探針和錫球之間的電氣接觸。
這樣對探針的抗粘粘度及抗氧化能力要求很高，對于一般的探針，測試幾十顆就需要對其進行清潔，否則隨著沾污越來越嚴重，會造成探針與錫球之間的接觸電阻大到2歐姆以上（一般情況下在0.5歐姆以下），從而嚴重影響測試結果。對于本文所舉實例而言，在負載電阻僅為8.2歐姆的情況下，這樣測試得到的VOP-P及PO值僅為真實值的8.2/（8.2+2+2），既0.672倍左右，從而導致測試的嚴重失效，同時也會影響到THD測試值。所以在測試過程中需要對探針進行不斷的清潔動作，這樣在不斷的清針過程中，既浪費了測試的時間又加速了探針的老化，導致針卡壽命急劇縮短，同樣也會造成測試的誤判，需要通過多次的復測才能達到比較可信的測試良率。
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