碳納米管器件和集成電路因速度、功耗等方面優(yōu)勢(shì)，被認(rèn)為是未來(lái)最有可能替代現(xiàn)有硅基集成電路，延續(xù)摩爾定理的信息器件技術(shù)之一。經(jīng)過(guò)近20年的研究，碳納米管電子學(xué)在器件物理、器件制備和優(yōu)化、簡(jiǎn)單集成電路和系統(tǒng)演示方面取得長(zhǎng)足進(jìn)展。

　　然而，受限于材料和加工工藝問(wèn)題，碳納米管晶體管的制備規(guī)模、成品率和均勻性始終難以達(dá)到較高水平，限制了碳納米管集成電路技術(shù)進(jìn)一步向產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。

　　近 期，在北京市科委支持下，北京大學(xué)彭練矛教授團(tuán)隊(duì)針對(duì)如何將碳納米管從晶體管推向集成電路的世界性難題開展系統(tǒng)研究，取得重大進(jìn)展。課題組通過(guò)對(duì)碳納米管材料、器件尺寸與結(jié)構(gòu)、制備工藝的優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了成品率100%的碳納米管晶體管批量制備，使用該材料制備的晶體管已接近商用65 nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)硅基CMOS晶體管的水平;制備出包含140個(gè)晶體管的碳納米管四位全加器電路和兩位乘法器電路，是世界上目前集成度最高、復(fù)雜性最強(qiáng)的碳納 米管集成電路，該電路的研制成功說(shuō)明碳納米管技術(shù)已具備制作大規(guī)模集成電路的能力，將極大加快碳納米管集成電路的實(shí)用化進(jìn)程。