晶圓代工廠聯電1日宣布，其0.18微米雙極-互補-擴散金氧半導體BipolarCMOSDMOS(BCD)制程技術平臺，已通過業界最嚴格的AEC-Q100Grade-0車用電子矽芯片驗證。未來，對于聯電加緊腳步介入汽車電自市場領域，將有重大的影響。

　　根據聯電發 出的新聞稿指出，0.18微米雙極-互補-擴散金氧半導體BipolarCMOSDMOS(BCD)制程技術平臺，包含符合車用標準的FDK及矽智財解決 方案，可用于車用電子之應用芯片如電源管理芯片進行量產。成功通過車規驗證之制程方案后，聯華電子所制造的車用電子芯片即可滿足用于高溫環境下高可靠性車 輛應用最嚴格的需求。這是繼成功量產AEC-Q100Grade-1規格標準之產品后，再創另一技術發展的新里程碑。

　　聯電企業行銷資深副總簡山杰表示，車用電子的矽芯片含量，隨著包括先進駕駛輔助系統(ADAS)、資訊娛樂系統及導航系統等電子元件持續演進而急遽攀升。大眾近來對于排放減量與能源效率有更高的期待，進而推升更先進的電源電子科技與元件的需求。

　　因此，此類科技與元件需要更嚴格的AEC-Q100Grade-0制造標準，才能符合高溫、零缺失的需求。聯華電子以其0.18微米BCD制程，成為少數符合AEC-Q100Grade1&0半導體產品規范的晶圓廠。

　　聯電已成功擠身為車用芯片供應商之列，并為第一家通過ISO22301營運持續管理認證的晶圓廠，同時實施全面性的「車用服務計畫」，將零缺陷做法導入制程協助客戶滿足車用芯片的品質需求。未來，盼望能協助更多晶圓廠客戶進入蓬勃發展的車用芯片市場。

　　此外，聯電也將提供全面的Grade-0矽智財，包括已經過車用芯片產品中矽晶驗證的標準元件庫、SRAM、OTP/MTP/eFuse。這些由聯華電子制造的芯片已獲日本、歐洲、亞洲、美國等地的全球知名車廠廣泛采用。