-用于新一代數(shù)據(jù)中心服務(wù)器，支持速率高達3200 Mbps

　　上海2016年7月27日電 /美通社/ -- 瀾起科技集團有限公司今天宣布，已成功推出全球首顆 Gen2+ DDR4寄存時鐘驅(qū)動器芯片(DDR4RCD02+)，該芯片支持的速率高達3200 Mbps，可應(yīng)用于未來的數(shù)據(jù)中心服務(wù)器平臺。同時，瀾起科技的Gen2 DDR4寄存時鐘驅(qū)動器 ( DDR4RCD02 ) 和數(shù)據(jù)緩沖器 ( DDR4DB02 ) 套片也順利通過了 CPU 廠商的認(rèn)證，支持基于DDR4-2666 DRAM的服務(wù)器平臺。

　　2016年6月，瀾起科技在全球范圍內(nèi)率先推出了首顆完全符合最新JEDEC DDR4 RCD（寄存時鐘驅(qū)動器）標(biāo)準(zhǔn)的DDR4RCD02+芯片，該芯片不僅繼承了第二代DDR4 DDR4RCD02產(chǎn)品的出色特性，如功耗超低、性能穩(wěn)定等，而且支持的數(shù)據(jù)速率高達3200 Mbps，較之DDR4RCD02支持的最高速率2666 Mbps有大幅提升。尤為重要的是，DDR4RCD02+支持JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的可選功能--NVDIMM（非易失性雙列直插內(nèi)存模組）模式。NVDIMM是兼有SDRAM內(nèi)存顆粒和非易失性內(nèi)存（如NAND Flash）的混合內(nèi)存條，但對于內(nèi)存控制器而言，NVDIMM看起來就跟普通的DDR4 SDRAM內(nèi)存條一樣。有了這個新增的功能，DDR4RCD02+可以為計算機內(nèi)存體系拓展出新層級的功能，使下一代數(shù)據(jù)中心服務(wù)器能充分利用非易失性內(nèi)存的數(shù)據(jù)持久性優(yōu)勢和DRAM內(nèi)存的高速存取優(yōu)勢，實現(xiàn)DRAM速率級的非易失性內(nèi)存訪問。

　　此前，瀾起科技的第二代 DDR4RCD02/DDR4DB02 產(chǎn)品已于2016年5月成功通過了 CPU 廠商基于業(yè)內(nèi)所有 DRAM 平臺的認(rèn)證，瀾起科技也因此成為全球首家提供完整的DDR4-2666內(nèi)存接口解決方案的供應(yīng)商。此次認(rèn)證的成功進一步鞏固了瀾起科技在內(nèi)存接口市場的領(lǐng)導(dǎo)地位，助力瀾起科技成為全球DRAM和服務(wù)器OEM廠商的首選供應(yīng)商。

　　瀾起科技總裁戴光輝先生表示：“我非常振奮瀾起科技再次成為全球首家推出Gen2+ DDR4內(nèi)存接口產(chǎn)品的供應(yīng)商，為滿足未來數(shù)據(jù)中心的需求提供最先進的產(chǎn)品與服務(wù)。在此之前，我們已先后推出全球首款第一代和第二代DDR4內(nèi)存接口解決方案。如今，我們將沿著這成功的足跡，繼續(xù)與我們的生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴展開密切合作，加速內(nèi)存技術(shù)和產(chǎn)品的研發(fā)及創(chuàng)新，以應(yīng)對數(shù)據(jù)中心云計算時代對內(nèi)存子系統(tǒng)日益增長的需求。”

　　供貨信息

　　2016年6月，瀾起科技的Gen2+ DDR4 寄存時鐘驅(qū)動器芯片 ( M88DR4RCD02+ ) 的工程樣片已經(jīng)開始發(fā)貨。該芯片采用253球FCFBGA封裝。

　　2016年第一季度，瀾起科技的Gen2 DDR4內(nèi)存接口套片，包括DDR4寄存時鐘驅(qū)動器芯片   ( M88DDR4RCD02 ) 和DDR4數(shù)據(jù)緩沖器芯片   ( M88DDR4DB02 ) ，已經(jīng)量產(chǎn)并批量供貨。M88DDR4RCD02芯片采用253球FCFBGA封裝，M88DDR4DB02采用53球FCFBGA封裝。